ROHM Zenerdiode Isoliert 1 Element/Chip Oberfläche 2.9 V / 200 mW max, SOD-323F 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 216-0010P
- Herst. Teile-Nr.:
- UDZVFHTE-172.7B
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.3.05
Auf Lager
- 2'200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 + | CHF 0.061 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 216-0010P
- Herst. Teile-Nr.:
- UDZVFHTE-172.7B
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Zener-Spannung nomimal Vz | 2.9V | |
| Produkt Typ | Zenerdiode | |
| Diodenkonfiguration | Isoliert | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Gehäusegröße | SOD-323F | |
| Zenertyp | Spannungsregler | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Prüfstrom It | 10mA | |
| Sperrstrom max. | 100μA | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | UDZVFH | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Länge | 2.7mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Zener-Spannung nomimal Vz 2.9V | ||
Produkt Typ Zenerdiode | ||
Diodenkonfiguration Isoliert | ||
Montageart Oberfläche | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Gehäusegröße SOD-323F | ||
Zenertyp Spannungsregler | ||
Pinanzahl 2 | ||
Prüfstrom It 10mA | ||
Sperrstrom max. 100μA | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie UDZVFH | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Höhe 0.9mm | ||
Länge 2.7mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Rohm Zenerdiode hat eine maximale Verlustleistung von 0,2 W. Er verfügt über eine kleine Form und eine epitaxiale planare Siliziumstruktur. Er wird hauptsächlich in der Spannungsregelung verwendet.
Hohe Zuverlässigkeit