Fuji Electric

Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • CHF.9.619Stück
MOSFET Treiber VLA517-01R, 1-Kanal 4A SIP-Modul 15-Pin
  • Anzahl der Treiber1
  • Arbeitsspannnung min.20 V
  • Arbeitsspannnung max.22 V
  • Montage-TypDurchsteckmontage
  • Spitzen-Ausgangsstrom4A
Vergleichbare Produkte in "MOSFET Treiber"
  • CHF.8.507
    Stück (In einer Box à 60)
MOSFET Treiber VLA517-01R, 1-Kanal 4A SIP-Modul 15-Pin
  • Anzahl der Treiber1
  • Arbeitsspannnung min.20 V
  • Arbeitsspannnung max.22 V
  • Montage-TypDurchsteckmontage
  • Spitzen-Ausgangsstrom4A
Vergleichbare Produkte in "MOSFET Treiber"
  • CHF.10.415
    Stück (In einer Stange von 30)
N-Kanal IGBT FGW40N120HD, 1200 V 40 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.40 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.340 W
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.10.871
    Stück (In einer Stange von 30)
N-Kanal IGBT FGW50N60VD, 600 V 50 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.360 W
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.162.723Stück
2MBI300U2B-060-50 N-Kanal IGBT-Modul, 600 V / 300 A, M233 7-Pin
  • KonfigurationSerie
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.300 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • CHF.16.39
    Stück (In einer Stange von 10)
IGBT 6MBP15XSD060-50-P, 600 V 15 A, IPM 36-Pin
  • Dauer-Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Verlustleistung max.41 W
  • GehäusegrößeIPM
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.9.771
    Stück (In einer Stange von 10)
IGBT 6MBP30XSD060-50-P, 600 V 30 A, IPM 36-Pin
  • Dauer-Kollektorstrom max.30 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Verlustleistung max.41 W
  • GehäusegrößeIPM
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.67.89
    Stück (In einer Box à 10)
7MBR25VA-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 25 A, M711 24-Pin
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • KonfigurationDreiphasenbrücke
  • Dauer-Kollektorstrom max.25 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • CHF.216.785Stück
7MBP75RA-120-55 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 75 A, P 610 22-Pin
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • Konfiguration3-phasig
  • Dauer-Kollektorstrom max.75 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Channel-TypN
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • CHF.188.151Stück
7MBR75VB-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 75 A, M712 24-Pin
  • KonfigurationDreiphasenbrücke
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • Dauer-Kollektorstrom max.75 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • CHF.112.313
    Stück (In einer Box à 10)
2MBI200VH-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 240 A, M276 7-Pin
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.240 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • CHF.146.329
    Stück (In einer Box à 10)
6MBI100U4B-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, M633 35-Pin
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • KonfigurationDreiphasenbrücke
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • CHF.5.874
    Stück (In einer Stange von 30)
N-Kanal IGBT FGW15N120VD, 1200 V 15 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.155 W
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.204.428Stück
6MBI100U4B-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, M633 35-Pin
  • KonfigurationDreiphasenbrücke
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • CHF.49.334
    Stück (In einer Box à 20)
2MBI150U4A-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 150 A, M232 7-Pin
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.150 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • CHF.46.842Stück
2MBi150VA-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 150 A, M263 7-Pin
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.150 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • CHF.48.304
    Stück (In einer Box à 10)
2MBI100VA-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, M263 7-Pin
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • CHF.19.401
    Stück (In einer Stange von 10)
IGBT 6MBP30XSF060-50-P, 600 V 30 A, IPM 36-Pin
  • Dauer-Kollektorstrom max.30 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Verlustleistung max.41 W
  • GehäusegrößeIPM
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • CHF.260.502
    Stück (In einer Box à 12)
2MBI600VE-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 700 A, M277 7-Pin
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.700 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • CHF.8.402
    Stück (In einer Stange von 30)
N-Kanal IGBT FGW50N60HD, 600 V 50 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.360 W
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
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