Microchip 256 kB EEPROM, 2-adriger I2C Interface, SOIC, 5 ms Oberfläche, 32768 x 8-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 734-428
- Herst. Teile-Nr.:
- 24CS256T-I/SN
- Marke:
- Microchip
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 734-428
- Herst. Teile-Nr.:
- 24CS256T-I/SN
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | EEPROM | |
| Speicher Größe | 256kB | |
| Schnittstellentyp | 2-adriger I2C | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Taktfrequenz max. | 3.4MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.7V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | 24CS | |
| Versorgungsstrom | 1μA | |
| Zugriffszeit max. | 5ms | |
| Anzahl der Wörter | 32768 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Datenspeicherung | 200Jahr | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ EEPROM | ||
Speicher Größe 256kB | ||
Schnittstellentyp 2-adriger I2C | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Taktfrequenz max. 3.4MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.7V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie 24CS | ||
Versorgungsstrom 1μA | ||
Zugriffszeit max. 5ms | ||
Anzahl der Wörter 32768 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Datenspeicherung 200Jahr | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der Microchip EEPROM ist eine Speicherlösung mit hoher Dichte, die für eine zuverlässige Datenspeicherung entwickelt wurde. Seine Hauptaufgabe besteht darin, einen effizienten Zugriff auf und die Aufbewahrung großer Datensätze in kompakten Umgebungen zu ermöglichen.
Bietet eine 256K-Bit-Organisation für vielseitiges Datenmanagement
Gewährleistet schnelle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten, um die Leistung zu maximieren
Unterstützt einen großen Spannungsbereich zur Verbesserung der Kompatibilität
Ausgestattet mit SOIC-Gehäuse für effiziente Platznutzung
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