Microchip 64 kB Paralleles EEPROM, Parallel Interface, PLCC, 120 ns Oberfläche 8K x 8 bit, 8192 x 32-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 177-1464
- Herst. Teile-Nr.:
- AT28HC64BF-12JU
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 32 - 96 | CHF.5.219 | CHF.166.93 |
| 128 + | CHF.5.082 | CHF.162.76 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 177-1464
- Herst. Teile-Nr.:
- AT28HC64BF-12JU
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Paralleles EEPROM | |
| Speicher Größe | 64kB | |
| Schnittstellentyp | Parallel | |
| Gehäusegröße | PLCC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Organisation | 8K x 8 bit | |
| Taktfrequenz max. | 5MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Serie | AT28HC64BF | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 3.5mm | |
| Länge | 12.5mm | |
| Breite | 10.3 mm | |
| Versorgungsstrom | 40mA | |
| Zugriffszeit max. | 120ns | |
| Anzahl der Wörter | 8192 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Datenspeicherung | 10year | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Paralleles EEPROM | ||
Speicher Größe 64kB | ||
Schnittstellentyp Parallel | ||
Gehäusegröße PLCC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 32 | ||
Organisation 8K x 8 bit | ||
Taktfrequenz max. 5MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Serie AT28HC64BF | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 3.5mm | ||
Länge 12.5mm | ||
Breite 10.3 mm | ||
Versorgungsstrom 40mA | ||
Zugriffszeit max. 120ns | ||
Anzahl der Wörter 8192 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Datenspeicherung 10year | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der Microchip AT28HC64BF ist ein leistungsfähiger 64-Kbit-Parallel-EEPROM mit Zugriffszeiten bis 55 ns und einer Verlustleistung von 220 mW. Deaktiviert liegt der CMOS-Standby-Strom unter 100 μA. Zugriff wie beim statischen RAM für den Lese- oder Schreibzyklus ohne externe Komponenten, es enthält ein 64-Byte-Seitenregister, um das gleichzeitige Schreiben von bis zu 64 Bytes zu ermöglichen. Der optionale Software-Datenschutzmechanismus schützt vor versehentlichem Schreiben, und zusätzliche 64 Bytes EEPROM ermöglichen die Identifizierung oder Verfolgung von Geräten.
Zusätzliche Merkmale:8 Kbits x 8 (64 Kbit)Netzteil: 5 V (±10 %)Parallele Schnittstelle70-ns-Zugriffszeit Selbstgesteuerte Lösch- und SchreibzyklenSeiten- und ByteschreibfähigkeitDatenabfrage für das Ende des SchreibvorgangsMaximale Option 2 msNiedriger Energieverbrauch:Lese-/Schreibstrom 40 mA (Max)Standby-Strom TTL 2 mA (Max), CMOS 100 μA (Max)SchreibschutzHardwareschutzSoftware-DatenschutzMehr als 100000 Lösch-/SchreibzyklenDatenspeicherung > 10 Jahre
