Microchip 256 kB Paralleles EEPROM, Parallel Interface, SOIC, 150 ns Oberfläche 32K x 8 bit, 32768 x 28-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 177-1681
- Herst. Teile-Nr.:
- AT28C256-15SU
- Marke:
- Microchip
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Speicher Größe | 256kB | |
| Produkt Typ | Paralleles EEPROM | |
| Schnittstellentyp | Parallel | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 28 | |
| Organisation | 32K x 8 bit | |
| Taktfrequenz max. | 5MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 18.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 7.6mm | |
| Serie | AT28C256 | |
| Versorgungsstrom | 50mA | |
| Zugriffszeit max. | 150ns | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Anzahl der Wörter | 32768 | |
| Datenspeicherung | 10Jahr | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Speicher Größe 256kB | ||
Produkt Typ Paralleles EEPROM | ||
Schnittstellentyp Parallel | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 28 | ||
Organisation 32K x 8 bit | ||
Taktfrequenz max. 5MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 18.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 7.6mm | ||
Serie AT28C256 | ||
Versorgungsstrom 50mA | ||
Zugriffszeit max. 150ns | ||
Automobilstandard Nein | ||
Anzahl der Wörter 32768 | ||
Datenspeicherung 10Jahr | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der Microchip AT28C256 ist ein leistungsstarker 256-Kbit-Parallel-EEPROM, der sowohl im industriellen als auch im militärischen Temperaturbereich verfügbar ist und Zugriffszeiten bis 150 ns bei einer Verlustleistung von 440 mW bietet. Deaktiviert liegt CMOS-Standby-Strom unter 200 μA.
Zusätzliche Merkmale:32 Kbits x 8 (256 Kbit)5 V ± 10 % SpannungsversorgungParallele Schnittstelle150 ns ZugriffszeitLösch-/Schreibzyklen mit Selbstzeitsteuerung (10 ms max.)Seiten- und ByteschreibfähigkeitDatenabfrage für das Ende des SchreibvorgangsNiedriger Energieverbrauch:Lese-/Schreibstrom 40 mA (Max)Standby-Strom TTL 2 mA (Max), CMOS 200 μA (Max)
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