Microchip 1 MB Paralleles EEPROM, Parallel Interface, PLCC, 200 ns Oberfläche 128K x 8 bit, 131072 x 32-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 177-1685P
- Herst. Teile-Nr.:
- AT28LV010-20JU
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 177-1685P
- Herst. Teile-Nr.:
- AT28LV010-20JU
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Paralleles EEPROM | |
| Speicher Größe | 1MB | |
| Schnittstellentyp | Parallel | |
| Gehäusegröße | PLCC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Taktfrequenz max. | 5MHz | |
| Organisation | 128K x 8 bit | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3.3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Serie | AT28LV010 | |
| Breite | 15 mm | |
| Länge | 12.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Anzahl der Wörter | 131072 | |
| Zugriffszeit max. | 200ns | |
| Versorgungsstrom | 15mA | |
| Datenspeicherung | 10year | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Paralleles EEPROM | ||
Speicher Größe 1MB | ||
Schnittstellentyp Parallel | ||
Gehäusegröße PLCC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 32 | ||
Taktfrequenz max. 5MHz | ||
Organisation 128K x 8 bit | ||
Minimale Versorgungsspannung 3.3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Serie AT28LV010 | ||
Breite 15 mm | ||
Länge 12.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Anzahl der Wörter 131072 | ||
Zugriffszeit max. 200ns | ||
Versorgungsstrom 15mA | ||
Datenspeicherung 10year | ||
Leistungsstarker 1M EEPROM bietet Zugriffszeiten bis 200 ns bei 54 mW Verlustleistung und 3,0 V Versorgungsspannung.
Leistungsmerkmale:Einfache Spannungsversorgung 3,3 V ± 10 %Schnelle Lesezugriffszeit –200 nsAutomatischer SeitenschreibvorgangInterne Adress- und Datenspeicher für 128 ByteInterner Kontroll-ZeitgeberSchnelle SchreibzykluszeitSeitenschreibezeit – 10 ms (maximal)1 bis 128 Byte SeitenschreibvorgangGeringe Verlustleistung:15 mA Wirkstrom20 μA CMOS-Standby-StromHard- und Software-DatenschutzDatenabfrage für das Ende des SchreibvorgangsSehr zuverlässige CMOS-TechnologieAusdauer: 105 ZyklenDatenspeicherung: 10 JahreByteweite AnschlussdichteTemperaturbereich in der IndustrieGrün (Pb/Halogenfrei) Nur Verpackungsoption