Microchip 256 kB EEPROM, Seriell-SPI Interface, SOIC, 50 ns Durchsteckmontage 32K x 8 bit, 32K x 8-Pin 8

RS Best.-Nr.:: 197-6050P
Herst. Teile-Nr.:: 25AA256-I/P
Marke:: Microchip

Microchip 256 kB EEPROM, Seriell-SPI Interface, SOIC, 50 ns Durchsteckmontage 32K x 8 bit, 32K x 8-Pin 8

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Herst. Teile-Nr.:: 25AA256-I/P
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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Speicher Größe	256kB
	Produkt Typ	EEPROM
	Schnittstellentyp	Seriell-SPI
	Gehäusegröße	SOIC
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	8
	Organisation	32K x 8 bit
	Taktfrequenz max.	10MHz
	Minimale Versorgungsspannung	1.8V
	Maximale Versorgungsspannung	5.5V
	Anzahl der Bits pro Wort	8
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	85°C
	Länge	9.4mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.4mm
	Datenspeicherung	200Jahr
	Zugriffszeit max.	50ns
	Versorgungsstrom	6mA
	Automobilstandard	AEC-Q100
	Anzahl der Wörter	32K

	Alle auswählen
	Marke Microchip
	Speicher Größe 256kB
	Produkt Typ EEPROM
	Schnittstellentyp Seriell-SPI
	Gehäusegröße SOIC
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 8
	Organisation 32K x 8 bit
	Taktfrequenz max. 10MHz
	Minimale Versorgungsspannung 1.8V
	Maximale Versorgungsspannung 5.5V
	Anzahl der Bits pro Wort 8
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 85°C
	Länge 9.4mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.4mm
	Datenspeicherung 200Jahr
	Zugriffszeit max. 50ns
	Versorgungsstrom 6mA
	Automobilstandard AEC-Q100
	Anzahl der Wörter 32K

Datasheet - 25AA256

Ursprungsland:: TH

Microchip 25AA256-I/P sind serielle, elektrisch löschbare 256-Kbit-PROMs. Der Zugriff auf den Speicher erfolgt über einen kompatiblen seriellen Bus einer einfachen seriellen Peripherieschnittstelle (SPI). Die benötigten Bussignale sind ein Takteingang (SCK) sowie getrennte Dateneingänge (SI) und Datenausgänge (SO). Der Zugriff auf das Gerät wird über einen Chip Select (CS)-Eingang gesteuert. Die Kommunikation zum Gerät kann über den Haltestift (HOLD) unterbrochen werden.

Max. Takt: 10 MHz

Low-Power-CMOS-Technologie:- Max. Schreibstrom: 5 mA bei 5,5 V Lesestrom: 5 mA bei 5,5 V, 10 MHz Standby-Strom: 1 μA bei 5,5V

Lösch-/Schreibzyklen mit Selbstzeitsteuerung (5 ms max.)

Block-Schreibschutz: nichts, 1/4, 1/2 oder alles des Arrays schützen

Integrierter Schreibschutz: Einschalt/Ausschalt-Datenschutzschaltung, Schreibfreigabesperre, Schreibschutzpin

Sequenzielles Lesen

Hohe Zuverlässigkeit: Lebensdauer: 1000000000 Lösch-/Schreibzyklen- Datenspeicherung: 200 Jahre – ESD-Schutz:4000 V

Unterstützte Temperaturbereiche:

AEC-Q100-zertifiziert für die Kfz-Branche

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