STMicroelectronics 1 kB Serielles EEPROM, Seriell-I2C Interface, SO-8, 900 ns Oberfläche, 128k x 8-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 239-6311P
- Herst. Teile-Nr.:
- M24C01-RMN6TP
- Marke:
- STMicroelectronics
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- M24C01-RMN6TP
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Serielles EEPROM | |
| Speicher Größe | 1kB | |
| Schnittstellentyp | Seriell-I2C | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Taktfrequenz max. | 400kHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.8V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Serie | M24C01 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.55mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Datenspeicherung | 200Jahr | |
| Zugriffszeit max. | 900ns | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Serielles EEPROM | ||
Speicher Größe 1kB | ||
Schnittstellentyp Seriell-I2C | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Taktfrequenz max. 400kHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.8V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Serie M24C01 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.55mm | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Datenspeicherung 200Jahr | ||
Zugriffszeit max. 900ns | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Der STMicroelectronics EEPROM ist ein 1-Kbit-I2C-kompatibler EEPROM, der als 128 x 8 Bit organisiert ist. Er kann mit einer Versorgungsspannung von 1,8 V bis 5,5 V erreicht werden
Kompatibel mit den I2C-Busmodi 400 kHz und 100 kHz
Speicherarray - 1 Kbit 128 Byte EEPROM und 2 Kbit 256 Byte EEPROM
Einfache Versorgungsspannung von 1,8 V bis 5,5 V
Byte-Schreiben innerhalb von 5 ms
Seitenschreiben innerhalb von 5 ms
Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +85 °C.
Schreibschutz des gesamten Speicherarrays
Verbesserter ESD-/Latch-Up-Schutz
Mehr als 4 Million Schreibzyklen
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