Microchip 2kB EEPROM-Speicher, Seriell (2-Draht, I2C) Interface, TDFN, 3500ns SMD 256 x 8 bit, 256 x 8-Pin 8bit
- RS Best.-Nr.:
- 823-3242P
- Herst. Teile-Nr.:
- 24AA02T-I/MNY
- Marke:
- Microchip
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- RS Best.-Nr.:
- 823-3242P
- Herst. Teile-Nr.:
- 24AA02T-I/MNY
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Speicher Größe | 2kB | |
| Interface-Typ | Seriell (2-Draht, I2C) | |
| Gehäusegröße | TDFN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Organisation | 256 x 8 bit | |
| Arbeitsspannnung min. | 1,7 V | |
| Arbeitsspannnung max. | 5,5 V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Abmessungen | 3 x 2 x 0.75mm | |
| Datenerhalt | 200Jahr | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Anzahl der Wörter | 256 | |
| Zugriffszeit max. | 3500ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Speicher Größe 2kB | ||
Interface-Typ Seriell (2-Draht, I2C) | ||
Gehäusegröße TDFN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Organisation 256 x 8 bit | ||
Arbeitsspannnung min. 1,7 V | ||
Arbeitsspannnung max. 5,5 V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Abmessungen 3 x 2 x 0.75mm | ||
Datenerhalt 200Jahr | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Anzahl der Wörter 256 | ||
Zugriffszeit max. 3500ns | ||
24AA02/24LC02B I²C™ Serieller EEPROM
Die 24AA02/24LC02B Produktfamilie von Microchip sind 2 Kbit I²C™ serielle EEPROMs, die in einer Vielzahl von Gehäuse-, Temperatur und Netzteilvarianten verfügbar sind.
Merkmale
Einfache Versorgungsspannung mit Betrieb bis zu 1,7 V für 24AA02 Geräte, 2,5 V für 24LC02B Geräte
Energiesparende CMOS-Technologie: Lesestrom 1 mA (maximal), Standby-Strom 1 μA (maximal)
Serielle Schnittstelle mit 2 Leitungen, I²C™-kompatibel
Schmitt-Trigger-Eingänge zur Entstörung
Slope Control am Ausgang zur Beseitigung von Erdungsprellen
Taktkompatibilität mit 100 kHz und 400 kHz
Seitenschreibezeit 3 ms (typisch)
Lösch-/Schreibzyklus mit Selbstzeitsteuerung
8 Byte Seitenschreibpuffer
Hardware-Schreibschutz
ESD-Schutz > 4000 V
Mehr als 1 Million Lösch-/Schreibzyklen
Datenspeicherung: >200 Jahre
Energiesparende CMOS-Technologie: Lesestrom 1 mA (maximal), Standby-Strom 1 μA (maximal)
Serielle Schnittstelle mit 2 Leitungen, I²C™-kompatibel
Schmitt-Trigger-Eingänge zur Entstörung
Slope Control am Ausgang zur Beseitigung von Erdungsprellen
Taktkompatibilität mit 100 kHz und 400 kHz
Seitenschreibezeit 3 ms (typisch)
Lösch-/Schreibzyklus mit Selbstzeitsteuerung
8 Byte Seitenschreibpuffer
Hardware-Schreibschutz
ESD-Schutz > 4000 V
Mehr als 1 Million Lösch-/Schreibzyklen
Datenspeicherung: >200 Jahre
EEPROM mit seriellem Zugriff – Microchip
