ams OSRAM Fotodiode Infrarot, Sichtbares Licht 60 ° 850 nm, Durchsteckmontage DIP-Gehäuse 2-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.5.20

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 45 Einheit(en) versandfertig
  • Zusätzlich 860 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20CHF.1.04CHF.5.19
25 - 95CHF.0.667CHF.3.33
100 - 245CHF.0.576CHF.2.89
250 - 495CHF.0.505CHF.2.55
500 +CHF.0.434CHF.2.19

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
247-240
Herst. Teile-Nr.:
BPW 34
Marke:
ams OSRAM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ams OSRAM

Erkannte Spektren

Infrarot, Sichtbares Licht

Produkt Typ

Fotodiode

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit

850nm

Gehäusegröße

DIP

Montageart

Durchsteckmontage

Verpackungsart

Band und Rolle

Anzahl der Pins

2

Wellenlänge min.

400nm

erfasste Wellenlänge max.

1100nm

Fallzeit typ.

20ns

Betriebstemperatur min.

-40°C

Verstärkt

Nein

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Länge

4.5mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

4mm

Höhe

2.2mm

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

60 °

Dunkelstrom

2nA

Durchschlagspannung

16V

Leerlaufspannung

330mV

Polarität

Invertiert

Automobilstandard

Nein

Regelanstiegszeit

20ns

Kurzschlussstrom

25μA

PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse


Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw.

IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors


Verwandte Links