Teile-Nr.

ams OSRAM Fotodiode Sichtbares Licht, Infrarot 60 ° 850 nm, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin

RS Best.-Nr.:: 168-5302
Herst. Teile-Nr.:: BPW 34 SR
Marke:: ams OSRAM

ams OSRAM Fotodiode Sichtbares Licht, Infrarot 60 ° 850 nm, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 168-5302
Herst. Teile-Nr.:: BPW 34 SR
Marke:: ams OSRAM

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ams OSRAM
	Produkt Typ	Fotodiode
	Erkannte Spektren	Sichtbares Licht, Infrarot
	Wellenlänge der max. Empfindlichkeit	850nm
	Gehäusegröße	DIP
	Montageart	SMD
	Verpackungsart	Band und Rolle
	Anzahl der Pins	2
	Wellenlänge min.	400nm
	erfasste Wellenlänge max.	1100nm
	Fallzeit typ.	20ns
	Verstärkt	Nein
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	100°C
	Länge	4.5mm
	Breite	4 mm
	Höhe	1.2mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	60 °
	Automobilstandard	Nein
	Regelanstiegszeit	20ns
	Durchschlagspannung	16V
	Polarität	Invertiert
	Leerlaufspannung	330mV
	Kurzschlussstrom	25μA
	Dunkelstrom	2nA

	Alle auswählen
	Marke ams OSRAM
	Produkt Typ Fotodiode
	Erkannte Spektren Sichtbares Licht, Infrarot
	Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 850nm
	Gehäusegröße DIP
	Montageart SMD
	Verpackungsart Band und Rolle
	Anzahl der Pins 2
	Wellenlänge min. 400nm
	erfasste Wellenlänge max. 1100nm
	Fallzeit typ. 20ns
	Verstärkt Nein
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 100°C
	Länge 4.5mm
	Breite 4 mm
	Höhe 1.2mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 60 °
	Automobilstandard Nein
	Regelanstiegszeit 20ns
	Durchschlagspannung 16V
	Polarität Invertiert
	Leerlaufspannung 330mV
	Kurzschlussstrom 25μA
	Dunkelstrom 2nA

Datasheet BPW 34 SR

PIN-Fotodiode, strahlungsempfindliche Fläche 2,65 x 2,65 mm

Diese PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors haben eine empfindliche Fläche von 2,65 x 2,65 mm². Sie sind mit oder ohne Tageslichtfilter erhältlich.

Diese PIN-Fotodioden sind ideal für Hochgeschwindigkeitsanwendungen.

ams OSRAM Fotodiode Sichtbares Licht, Infrarot 60 ° 850 nm, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin

PIN-Fotodiode, strahlungsempfindliche Fläche 2,65 x 2,65 mm

IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors

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