ams OSRAM Fotodiode IR, UV, sichtbares Licht 850nm Si, THT TO18-Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 497-5677
- Herst. Teile-Nr.:
- BPX 65
- Marke:
- ams OSRAM
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- 497-5677
- Herst. Teile-Nr.:
- BPX 65
- Marke:
- ams OSRAM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ams OSRAM | |
| Erkennbare Spektren | IR, UV, sichtbares Licht | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 850nm | |
| Gehäusetyp | TO18 | |
| Montage Typ | THT | |
| Verstärkerfunktion | Nein | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Diodenmaterial | Si | |
| Wellenlänge min. | 350nm | |
| Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Länge | 5.6mm | |
| Breite | 5.6mm | |
| Höhe über Panel | 5.5mm | |
| Spitzenphotosensibilität | 0.55A/W | |
| Polarität | Positiv | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ams OSRAM | ||
Erkennbare Spektren IR, UV, sichtbares Licht | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 850nm | ||
Gehäusetyp TO18 | ||
Montage Typ THT | ||
Verstärkerfunktion Nein | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Diodenmaterial Si | ||
Wellenlänge min. 350nm | ||
Wellenlänge max. 1100nm | ||
Länge 5.6mm | ||
Breite 5.6mm | ||
Höhe über Panel 5.5mm | ||
Spitzenphotosensibilität 0.55A/W | ||
Polarität Positiv | ||
PIN-Fotodiode – TO-18-Gehäuse
Die BPX 65-PIN-Fotodiode von OSRAM Opto Semiconductors ist in einem TO-18-Metallzylindergehäuse untergebracht. Der Metallzylinder ist hermetisch gekapselt, sodass die BPX 65 ideal für den Einsatz in rauen Umgebungen bis zu 125 °C ist. Weitere geeignete Anwendungen umfassen Industrieelektronik, Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren und Steuer-/Antriebsschaltkreise.
Merkmale der BPX 65-Silizium-PIN-Fotodiode:
Metallzylindergehäuse TO-18
Durchgangsbohrung
Wellenlänge: 350 bis 1100 nm
Kurze Schaltzeit
Metallzylindergehäuse TO-18
Durchgangsbohrung
Wellenlänge: 350 bis 1100 nm
Kurze Schaltzeit
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
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