ams OSRAM Fotodiode IR, UV, sichtbares Licht 850nm Si, THT TO18-Gehäuse 2-Pin

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.6.983

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 15 Einheit(en) versandfertig
  • Zusätzlich 331 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 379 Einheit(en) mit Versand ab 06. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 5CHF.6.98
6 - 29CHF.6.62
30 - 59CHF.5.03
60 +CHF.4.75

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
497-5677
Herst. Teile-Nr.:
BPX 65
Marke:
ams OSRAM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ams OSRAM

Erkennbare Spektren

IR, UV, sichtbares Licht

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit

850nm

Gehäusetyp

TO18

Verstärkerfunktion

Nein

Montage Typ

THT

Anzahl der Pins

2

Diodenmaterial

Si

Wellenlänge min.

350nm

Wellenlänge max.

1100nm

Länge

5.6mm

Breite

5.6mm

Höhe über Panel

5.5mm

Spitzenphotosensibilität

0.55A/W

Polarität

Positiv

PIN-Fotodiode – TO-18-Gehäuse


Die BPX 65-PIN-Fotodiode von OSRAM Opto Semiconductors ist in einem TO-18-Metallzylindergehäuse untergebracht. Der Metallzylinder ist hermetisch gekapselt, sodass die BPX 65 ideal für den Einsatz in rauen Umgebungen bis zu 125 °C ist. Weitere geeignete Anwendungen umfassen Industrieelektronik, Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren und Steuer-/Antriebsschaltkreise.

Merkmale der BPX 65-Silizium-PIN-Fotodiode:

Metallzylindergehäuse TO-18

Durchgangsbohrung

Wellenlänge: 350 bis 1100 nm

Kurze Schaltzeit

IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors


Verwandte Links