ams OSRAM Fotodiode Ultraviolett, Infrarot, Sichtbares Licht 80 ° 850 nm, Durchsteckmontage TO-18-Gehäuse 2-Pin

RS Best.-Nr.:: 912-8306
Herst. Teile-Nr.:: BPX 65
Marke:: ams OSRAM

ams OSRAM Fotodiode Ultraviolett, Infrarot, Sichtbares Licht 80 ° 850 nm, Durchsteckmontage TO-18-Gehäuse 2-Pin

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RS Best.-Nr.:: 912-8306
Herst. Teile-Nr.:: BPX 65
Marke:: ams OSRAM

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ams OSRAM
	Produkt Typ	Fotodiode
	Erkannte Spektren	Ultraviolett, Infrarot, Sichtbares Licht
	Wellenlänge der max. Empfindlichkeit	850nm
	Gehäusegröße	TO-18
	Verpackungsart	Band und Rolle
	Montageart	Durchsteckmontage
	Anzahl der Pins	2
	Wellenlänge min.	350nm
	erfasste Wellenlänge max.	1100nm
	Fallzeit typ.	12ns
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Verstärkt	Nein
	Maximale Betriebstemperatur	100°C
	Höhe	5.5mm
	Breite	5.6 mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	5.6mm
	Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	80 °
	Durchmesser	4.8 mm
	Regelanstiegszeit	12ns
	Durchschlagspannung	16V
	Leerlaufspannung	330mV
	Dunkelstrom	2nA
	Polarität	Vorwärts
	Automobilstandard	Nein
	Kurzschlussstrom	10μA

	Alle auswählen
	Marke ams OSRAM
	Produkt Typ Fotodiode
	Erkannte Spektren Ultraviolett, Infrarot, Sichtbares Licht
	Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 850nm
	Gehäusegröße TO-18
	Verpackungsart Band und Rolle
	Montageart Durchsteckmontage
	Anzahl der Pins 2
	Wellenlänge min. 350nm
	erfasste Wellenlänge max. 1100nm
	Fallzeit typ. 12ns
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Verstärkt Nein
	Maximale Betriebstemperatur 100°C
	Höhe 5.5mm
	Breite 5.6 mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 5.6mm
	Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 80 °
	Durchmesser 4.8 mm
	Regelanstiegszeit 12ns
	Durchschlagspannung 16V
	Leerlaufspannung 330mV
	Dunkelstrom 2nA
	Polarität Vorwärts
	Automobilstandard Nein
	Kurzschlussstrom 10μA

BPX 65 Datasheet

PIN-Fotodiode – TO-18-Gehäuse

Die BPX 65-PIN-Fotodiode von OSRAM Opto Semiconductors ist in einem TO-18-Metallzylindergehäuse untergebracht. Der Metallzylinder ist hermetisch gekapselt, sodass die BPX 65 ideal für den Einsatz in rauen Umgebungen bis zu 125 °C ist. Weitere geeignete Anwendungen umfassen Industrieelektronik, Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren und Steuer-/Antriebsschaltkreise.

Merkmale der BPX 65-Silizium-PIN-Fotodiode:

Metallzylindergehäuse TO-18

Durchgangsbohrung

Wellenlänge: 350 bis 1100 nm

Kurze Schaltzeit

ams OSRAM Fotodiode Ultraviolett, Infrarot, Sichtbares Licht 80 ° 850 nm, Durchsteckmontage TO-18-Gehäuse 2-Pin

PIN-Fotodiode – TO-18-Gehäuse

IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors

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