OSI Optoelectronics Fotodiode UV 980nm Si, THT Keramik-Gehäuse 2-Pin

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RS Best.-Nr.:
177-5563
Herst. Teile-Nr.:
PIN-UV-100DQC
Marke:
OSI Optoelectronics
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Marke

OSI Optoelectronics

Erkennbare Spektren

UV

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit

980nm

Gehäusetyp

Keramik

Verstärkerfunktion

Nein

Montage Typ

THT

Anzahl der Pins

2

Diodenmaterial

Si

Wellenlänge min.

190nm

Wellenlänge max.

1100nm

Länge

16.51mm

Breite

14.99mm

Höhe über Panel

2.03mm

Spitzenphotosensibilität

0.5A/W

Polarität

Umgekehrt

Ursprungsland:
US

Fotodioden der Serie UV Enhanced von OSI


Bei der Serie UV Enhanced von OSI Optoelectronics handelt es sich um eine Serie von Silizium-Fotodioden mit verbesserter UV-Empfindlichkeit. Diese Serie umfasst zwei separate Produktfamilien von Fotodioden: Inversionskanal- und planare diffuse Struktur. Beide Familien sind für rauscharme Erkennung im UV-Bereich des elektromagnetischen Spektrums ausgelegt.
Die Produktfamilie mit Inversionsschichtstruktur zeigt 100 % interne Quanten-Ausbeute. Mit hohem Shuntwiderstand, rauscharmem Verhalten und hohen Durchschlagsspannungen ist diese Familie von Fotodioden ideal für Lichtmessungen mit niedriger Intensität.
Fotodioden mit der planaren diffusen Struktur bieten eine niedrigere Kapazität und höhere Ansprechzeit im Vergleich zur Inversionsschichtfamilie. Sie zeigen außerdem Linearität des Fotostroms bis zu höherer Lichteingangsleistung im Vergleich zu den Inversionsschicht-Fotodioden.
Geeignete Anwendungen für die Serie UV Enhanced ist die Überwachung der Verschmutzung, medizintechnische Messtechnik, UV-Belichtungsmesser, Spektroskopie, Wasseraufbereitung und Fluoreszenz.

Merkmale der Serie UV Enhanced:
Inversionsschichten oder planare diffuse Silizium-Fotodioden
Ausgezeichnetes UV-Ansprechen


Fotodioden, OSI Optoelectronics

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