onsemi J Fotodiode Si, SMD SMT-Gehäuse 4-Pin

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RS Best.-Nr.:
185-9622
Herst. Teile-Nr.:
MICROFJ-30020-TSV-TR1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Gehäusetyp

SMT

Montage Typ

SMD

Verstärkerfunktion

Nein

Anzahl der Pins

4

Diodenmaterial

Si

Wellenlänge min.

200nm

Wellenlänge max.

900nm

Länge

3.16mm

Breite

3.16mm

Höhe über Panel

0.46mm

Serie

J

Durchschlagspannung

24.7V

Ursprungsland:
IE
Mikrozellen mit hoher Dichte
Die Sensoren der J-Serie verfügen über Terminal mit einzigartigem "schnellen Ausgang" von ON Semiconductor
Temperaturstabilität von 21,5 mV/°C
Außergewöhnliche Durchschlagsspannungsgleichmäßigkeit von ±250 mV
Erhältlich in einem mit Reflow-Lötverfahren kompatiblen Chip-Scale-Gehäuse des TSV
Extrem niedrige Dunkelzählraten von 50 kHz/mm2 (typisch)
Optimiert für Hochleistungs-Zeitsteuerungsanwendungen, wie z. B. ToF-PET
Sensorgrößen: 3 mm, 4 mm und 6 mm
Vorspannung von< 30 V.
Ergebnis: 50 % Photonenerkennungseffizienz (PDE) bei 420 nm
Verbesserte Signalanstiegszeit und Mikrozellen-Wiederherstellungszeit
Macht eine aktive Spannungsregelung überflüssig
Branchenführende Gleichmäßigkeit
Das TSG-Gehäuse sorgt für nahezu null Totraum und ermöglicht die Erstellung von Arrays mit hohem Füllfaktor. Es ist eisenmetallfrei
Anwendungen
Medizinische Bildgebung
Gefahr und Gefahr
3D-Bereichswahl und -Erfassung
Biophotonik und Wissenschaft
Hochenergiephysik

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