onsemi J Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, Oberfläche SMD-Gehäuse 4-Pin

Name: onsemi J Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, Oberfläche SMD-Gehäuse 4-Pin
Brand: onsemi
SKU: 185-9622
Availability: OutOfStock

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	Fotodiode
	Erkannte Spektren	Infrarot
	Wellenlänge der max. Empfindlichkeit	970nm
	Gehäusegröße	SMD
	Verpackungsart	Band und Rolle
	Montageart	Oberfläche
	Anzahl der Pins	4
	Wellenlänge min.	200nm
	erfasste Wellenlänge max.	900nm
	Fallzeit typ.	0.6ns
	Betriebstemperatur min.	-25°C
	Verstärkt	Nein
	Maximale Betriebstemperatur	85°C
	Höhe	0.46mm
	Länge	3.16mm
	Breite	3.16mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	65 °
	Regelanstiegszeit	0.6ns
	Durchschlagspannung	24.7V
	Polarität	Vorwärts
	Serie	J
	Automobilstandard	Nein
	Dunkelstrom	1nA

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ Fotodiode
	Erkannte Spektren Infrarot
	Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 970nm
	Gehäusegröße SMD
	Verpackungsart Band und Rolle
	Montageart Oberfläche
	Anzahl der Pins 4
	Wellenlänge min. 200nm
	erfasste Wellenlänge max. 900nm
	Fallzeit typ. 0.6ns
	Betriebstemperatur min. -25°C
	Verstärkt Nein
	Maximale Betriebstemperatur 85°C
	Höhe 0.46mm
	Länge 3.16mm
	Breite 3.16mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 65 °
	Regelanstiegszeit 0.6ns
	Durchschlagspannung 24.7V
	Polarität Vorwärts
	Serie J
	Automobilstandard Nein
	Dunkelstrom 1nA

Mikrozellen mit hoher Dichte

Sensoren der J-Serie verfügen über die einzigartige Schnellausgangs-Anschlussklemme von ON Semiconductor

Temperaturstabilität von 21,5 mV/°C

Außergewöhnliche Durchschlagsspannungsgleichmäßigkeit von ±250 mV

Erhältlich in einem Reflow-Löt-kompatiblen TSV-Chip-Scale-Gehäuse

Extrem niedrige Dunkelzählraten von typisch 50 kHz/mm2

Optimiert für leistungsstarke Timing-Anwendungen, wie ToF-PET

3 mm, 4 mm und 6 mm Sensorgrößen

Erzielt einen Photon-Erkennungseffizienz (PDE) von 50 % bei 420 nm

Verbesserte Signalanstiegszeit und Mikrozellen-Wiederherstellungszeit

Verweigert die Notwendigkeit einer aktiven Spannungsregelung

Branchenführende Einheitlichkeit

Das TSV-Gehäuse sorgt für fast null Todesraum und ermöglicht die Erstellung von Arrays mit hohem Füllfaktor und ist eisenmetallfrei

Anwendungen

Medizinische Bildgebung

Gefahren und Bedrohungen

3D-Ranging und -Erfassung

Biophotonik und Wissenschaften

Hochenergetische Physik

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