onsemi J Fotodiode Infrarot 65 ° 970 nm, SMD SMD-Gehäuse 4-Pin

Alle Fotodioden anzeigen
Bestandsabfrage leider nicht möglich
RS Best.-Nr.:
185-9622
Herst. Teile-Nr.:
MICROFJ-30020-TSV-TR1
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

Fotodiode

Erkannte Spektren

Infrarot

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit

970nm

Gehäusegröße

SMD

Montageart

SMD

Verpackungsart

Band und Rolle

Anzahl der Pins

4

Wellenlänge min.

200nm

erfasste Wellenlänge max.

900nm

Fallzeit typ.

0.6ns

Betriebstemperatur min.

-25°C

Verstärkt

Nein

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

3.16mm

Höhe

0.46mm

Länge

3.16mm

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

65 °

Durchschlagspannung

24.7V

Polarität

Vorwärts

Dunkelstrom

1nA

Automobilstandard

Nein

Serie

J

Regelanstiegszeit

0.6ns

Ursprungsland:
IE
Mikrozellen mit hoher Dichte

Sensoren der J-Serie verfügen über die einzigartige Schnellausgangs-Anschlussklemme von ON Semiconductor

Temperaturstabilität von 21,5 mV/°C

Außergewöhnliche Durchschlagsspannungsgleichmäßigkeit von ±250 mV

Erhältlich in einem Reflow-Löt-kompatiblen TSV-Chip-Scale-Gehäuse

Extrem niedrige Dunkelzählraten von typisch 50 kHz/mm2

Optimiert für leistungsstarke Timing-Anwendungen, wie ToF-PET

3 mm, 4 mm und 6 mm Sensorgrößen

<

Erzielt einen Photon-Erkennungseffizienz (PDE) von 50 % bei 420 nm

Verbesserte Signalanstiegszeit und Mikrozellen-Wiederherstellungszeit

Verweigert die Notwendigkeit einer aktiven Spannungsregelung

Branchenführende Einheitlichkeit

Das TSV-Gehäuse sorgt für fast null Todesraum und ermöglicht die Erstellung von Arrays mit hohem Füllfaktor und ist eisenmetallfrei

Anwendungen

Medizinische Bildgebung

Gefahren und Bedrohungen

3D-Ranging und -Erfassung

Biophotonik und Wissenschaften

Hochenergetische Physik

Verwandte Links