onsemi J Fotodiode Si, SMD TSV-Gehäuse 4-Pin

Mikrozellen mit hoher Dichte
Die Sensoren der J-Serie verfügen über Terminal mit einzigartigem "schnellen Ausgang" von ON Semiconductor
Temperaturstabilität von 21,5 mV/°C
Außergewöhnliche Durchschlagsspannungsgleichmäßigkeit von ±250 mV
Erhältlich in einem mit Reflow-Lötverfahren kompatiblen Chip-Scale-Gehäuse des TSV
Extrem niedrige Dunkelzählraten von 50 kHz/mm2 (typisch)
Optimiert für Hochleistungs-Zeitsteuerungsanwendungen, wie z. B. ToF-PET
Sensorgrößen: 3 mm, 4 mm und 6 mm
Vorspannung von< 30 V.
Ergebnis: 50 % Photonenerkennungseffizienz (PDE) bei 420 nm
Verbesserte Signalanstiegszeit und Mikrozellen-Wiederherstellungszeit
Macht eine aktive Spannungsregelung überflüssig
Branchenführende Gleichmäßigkeit
Das TSG-Gehäuse sorgt für nahezu null Totraum und ermöglicht die Erstellung von Arrays mit hohem Füllfaktor. Es ist eisenmetallfrei
Anwendungen
Medizinische Bildgebung
Gefahr und Gefahr
3D-Bereichswahl und -Erfassung
Biophotonik und Wissenschaft
Hochenergiephysik