OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode IR, Sichtbares Licht 900nm Si, THT DIP-Gehäuse 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 192-5326
- Herst. Teile-Nr.:
- BPX48
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
Nicht verfügbar
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- 192-5326
- Herst. Teile-Nr.:
- BPX48
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSRAM Opto Semiconductors | |
| Erkennbare Spektren | IR, Sichtbares Licht | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 900nm | |
| Gehäusetyp | DIP | |
| Montage Typ | THT | |
| Anzahl der Pins | 4 | |
| Diodenmaterial | Si | |
| Wellenlänge min. | 400nm | |
| Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Länge | 4.05mm | |
| Breite | 6.6mm | |
| Höhe über Panel | 2.2mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 60° | |
| Spitzenphotosensibilität | 0.55A/W | |
| Polarität | Positiv | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSRAM Opto Semiconductors | ||
Erkennbare Spektren IR, Sichtbares Licht | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 900nm | ||
Gehäusetyp DIP | ||
Montage Typ THT | ||
Anzahl der Pins 4 | ||
Diodenmaterial Si | ||
Wellenlänge min. 400nm | ||
Wellenlänge max. 1100nm | ||
Länge 4.05mm | ||
Breite 6.6mm | ||
Höhe über Panel 2.2mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 60° | ||
Spitzenphotosensibilität 0.55A/W | ||
Polarität Positiv | ||
Nicht-konform
Differenz-Fotodioden, DIL-Gehäuse
Die BPX 48 von OSRAM Opto Semiconductors ist eine Differenzial-Fotodiode in einem DIL-Kunststoffgehäuse. Diese durchkontaktierte Fotodiode enthält eine Zweifachdiode für eine homogene Erkennung. Sie wurde für industrielle Anwendungen mit einer Wellenlänge von 400 bis 1100 nm entwickelt. Geeignete Anwendungen für die BPX 48 umfassen: Industrieelektronik, Kantenerkennung, Weg- und Winkelabtastung.
Abstand zwischen Dioden: 90 μm
Niedriger Dunkelstrom
Rauscharm
Niedriger Dunkelstrom
Rauscharm
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
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