Vishay PIN-Fotodiode IR 950nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 773-0427
- Herst. Teile-Nr.:
- TEFD4300F
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 773-0427
- Herst. Teile-Nr.:
- TEFD4300F
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Erkennbare Spektren | IR | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 950nm | |
| Gehäusetyp | T1 | |
| Montage Typ | THT | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Diodenmaterial | Si | |
| Wellenlänge min. | 770nm | |
| Wellenlänge max. | 1070nm | |
| Höhe über Panel | 4.5mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | ±20° | |
| Durchmesser | 3.2mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Erkennbare Spektren IR | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 950nm | ||
Gehäusetyp T1 | ||
Montage Typ THT | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Diodenmaterial Si | ||
Wellenlänge min. 770nm | ||
Wellenlänge max. 1070nm | ||
Höhe über Panel 4.5mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel ±20° | ||
Durchmesser 3.2mm | ||
- Ursprungsland:
- PH
PIN-Fotodioden Serie TEFD4300
Die Serie TEFD4300 von Vishay Semiconductor umfasst PIN-Fotodioden mit einer hohen Strahlungsempfindlichkeit. Sie werden in durchkontaktierten Standardgehäusen in 3 mm (T-1) in klarer Ausführung und mit Tageslichtfilter geliefert. Geeignete Anwendungen umfassen: Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren für Datenübertragung, optische Schalter, Zähler und Sortierer, Unterbrecher, Codierer und Positionssensoren.
Leistungsmerkmale:
Gehäusetyp: Bleihaltig
Gehäuseform: T-1
Abmessungen (in mm): Ø 3
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung
Schnelle Reaktionszeiten
Winkel mit halber Empfindlichkeit: Φ = ±20°
Gehäuse passend für IR-Sender der Serie VSLB3940
Gehäuseform: T-1
Abmessungen (in mm): Ø 3
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung
Schnelle Reaktionszeiten
Winkel mit halber Empfindlichkeit: Φ = ±20°
Gehäuse passend für IR-Sender der Serie VSLB3940
Anwendungen:
Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor für die Datenübertragung
Optische Schalter
Zähler und Sortierer
Unterbrecher
Encoder
Positionssensoren
Optische Schalter
Zähler und Sortierer
Unterbrecher
Encoder
Positionssensoren
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
Verwandte Links
- OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode IR, Sichtbares Licht 900nm Si, THT DIP-Gehäuse 4-Pin
- Sharp IR-Diode Side-View 1,6mW 950nm 2-Pin THT
- ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, SMD DIP-Gehäuse 3-Pin
- OSRAM IR-Diode TO18 80mW 950nm 12mW/sr ±32° 2-Pin THT
- OSI Optoelectronics UV Fotodiode UV 980nm Si, THT Keramik-Gehäuse 2-Pin
- Vishay TEFD4300F Silizium-PIN-Fotodiode Nahinfrarotstrahlung ±20° 950 nm T-1-Gehäuse 2-Pin
- OSRAM, IR-Diode, Miniatur 5mW, 950nm, 5mW/sr, 18-Pin, Durchsteckmontage 9-LEDs
- OSRAM Opto Semiconductors Fotodetektor-Verstärker IR, Sichtbares Licht 950nm, SMD DIP-Gehäuse
