Vishay AEC-Q101 K857PH Silizium-PIN-Fotodiode 710 bis 1100 nm ±60 ° 1100 nm, Oberfläche SMD-Gehäuse
- RS Best.-Nr.:
- 238-8146
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-861
- Herst. Teile-Nr.:
- K857PH
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.13.74
Nur noch Restbestände
- Letzte 870 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.374 | CHF.13.70 |
| 50 - 90 | CHF.1.303 | CHF.13.02 |
| 100 - 240 | CHF.1.232 | CHF.12.32 |
| 250 - 490 | CHF.1.162 | CHF.11.65 |
| 500 + | CHF.1.091 | CHF.10.96 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 238-8146
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-861
- Herst. Teile-Nr.:
- K857PH
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Erkannte Spektren | 710 bis 1100 nm | |
| Produkt Typ | Silizium-PIN-Fotodiode | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 1100nm | |
| Gehäusegröße | SMD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Wellenlänge min. | 710nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 2.5μs | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 110°C | |
| Länge | 4.72mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, JESD22-A114E (HBM ESD ±2000 V), MSL 3, RoHS | |
| Breite | 4.72mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | ±60 ° | |
| Regelanstiegszeit | 3.9μs | |
| Serie | K857PH | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Dunkelstrom | 10nA | |
| Durchschlagspannung | 10V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Erkannte Spektren 710 bis 1100 nm | ||
Produkt Typ Silizium-PIN-Fotodiode | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 1100nm | ||
Gehäusegröße SMD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Wellenlänge min. 710nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 2.5μs | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 110°C | ||
Länge 4.72mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, JESD22-A114E (HBM ESD ±2000 V), MSL 3, RoHS | ||
Breite 4.72mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel ±60 ° | ||
Regelanstiegszeit 3.9μs | ||
Serie K857PH | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Dunkelstrom 10nA | ||
Durchschlagspannung 10V | ||
Die Silizium-PIN-Fotodiode von Vishay basierend auf homogener Technologie. Es handelt sich um einen 4-Quadranten-Fotodetektor in einem SMD-Gehäuse. Jeder Quadrant PD hat eine aktive Fläche von 1,6 mm2.
Abmessungen 4,72 x 4,72 x 0,75 mm
AEC-Q101 qualifiziert
Verwandte Links
- Vishay AEC-Q101 K857PH Silizium-PIN-Fotodiode 710 bis 1100 nm ±60 ° 1100 nm, Oberfläche SMD-Gehäuse
- Vishay AEC-Q101 Silizium-PIN-Fotodiode Infrarot ±15 ° 940 nm, Oberfläche SMD-Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM SFH Silizium-PIN-Fotodiode 400 bis 1100 nm 900 nm, SMD Klares Epoxid-Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM SFH Silizium-PIN-Fotodiode 400 bis 1100 nm 940 nm, Reflow-Löten Klares Epoxid-Gehäuse 2-Pin
- Vishay Silizium-PIN-Fotodiode Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung 60 ° 940 nm, Oberfläche SMD-Gehäuse
- ams OSRAM SFH Silizium-PIN-Fotodiode 400 bis 1100 nm 65 ° 940 nm, Reflow-Löten Klares Epoxid-Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM SFH Silizium-PIN-Fotodiode 400 bis 1100 nm 65 ° 920 nm, Reflow-Löten Klares Epoxid-Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM SFH Silizium-PIN-Fotodiode 400 bis 1100 nm 65 ° 900 nm, Reflow-Löten Klares Epoxid-Gehäuse 2-Pin