Vishay AEC-Q101 PIN-Fotodiode 830 nm bis 950 nm ±15 ° 830 nm, Oberfläche GW-Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 257-6910
- Herst. Teile-Nr.:
- VEMD2020X01
- Marke:
- Vishay
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- VEMD2020X01
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Erkannte Spektren | 830 nm bis 950 nm | |
| Produkt Typ | PIN-Fotodiode | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 830nm | |
| Gehäusegröße | GW | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Wellenlänge min. | 750nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1050nm | |
| Fallzeit typ. | 100ns | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Länge | 2.3mm | |
| Breite | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Höhe | 2.8mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | ±15 ° | |
| Regelanstiegszeit | 100ns | |
| Dunkelstrom | 10nA | |
| Kurzschlussstrom | 11μA | |
| Durchschlagspannung | 32V | |
| Leerlaufspannung | 350mV | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Erkannte Spektren 830 nm bis 950 nm | ||
Produkt Typ PIN-Fotodiode | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 830nm | ||
Gehäusegröße GW | ||
Montageart Oberfläche | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Wellenlänge min. 750nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1050nm | ||
Fallzeit typ. 100ns | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Länge 2.3mm | ||
Breite 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Höhe 2.8mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel ±15 ° | ||
Regelanstiegszeit 100ns | ||
Dunkelstrom 10nA | ||
Kurzschlussstrom 11μA | ||
Durchschlagspannung 32V | ||
Leerlaufspannung 350mV | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Silizium-PIN-Fotodiode von Vishay ist eine Hochgeschwindigkeits- und hochempfindliche PIN-Fotodiode in einem Miniatur-SMD-Gehäuse mit Kuppellinse und Tageslichtblockierungsfilter. Der Filter ist passend für IR-Emitter, die bei einer Wellenlänge von 830 nm bis 950 nm arbeiten. Der lichtempfindliche Bereich des Chips beträgt 0,23 mm2.
AEC-Q101-qualifiziert
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel der halben Empfindlichkeit: φ = ±15°
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