OSI Optoelectronics Photoconductive Fotodiode Sichtbares Licht, Infrarot 65 ° 970 nm, Durchsteckmontage TO-5-Gehäuse

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.30.524

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 9 Einheit(en) mit Versand ab 12. März 2026
  • Zusätzlich 70 Einheit(en) mit Versand ab 19. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 4CHF.30.52
5 - 9CHF.29.35
10 +CHF.28.88

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
848-6269
Herst. Teile-Nr.:
PIN-5DI
Marke:
OSI Optoelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

OSI Optoelectronics

Erkannte Spektren

Sichtbares Licht, Infrarot

Produkt Typ

Fotodiode

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit

970nm

Gehäusegröße

TO-5

Verpackungsart

Band und Rolle

Montageart

Durchsteckmontage

Anzahl der Pins

3

Wellenlänge min.

350nm

erfasste Wellenlänge max.

1100nm

Fallzeit typ.

0.6ns

Verstärkt

Nein

Betriebstemperatur min.

-25°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

8mm

Höhe

4.57mm

Breite

5 mm

Durchmesser

9.14 mm

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

65 °

Polarität

Invertiert

Automobilstandard

Nein

Durchschlagspannung

30V

Regelanstiegszeit

0.6ns

Serie

Photoconductive

Dunkelstrom

0.2nA

Fotodioden der Serie Photoconductive von OSI


Bei der Serie Photoconductive von OSI Optoelectronics handelt es sich um planare diffuse Silizium-Fotodioden für Anwendungen mit hoher Geschwindigkeit und hoher Empfindlichkeit. Durch ihren Spektralbereich (350–1100 nm) ist die Photoconductive-Serie geeignet für sichtbare Anwendungen und Anwendungen nahe am IR-Licht. Diese Universalfotodioden eignen sich für Anwendungen wie Impulsdetektoren, Strichcodelesegeräte, optische Fernsteuerungen, optische Kommunikation, medizintechnische Geräte und Lichtstärkemessung mit hoher Geschwindigkeit.

Merkmale der Serie Photoconductive:

Hohe Empfindlichkeit

Niedrige Kapazität

Niedriger Dunkelstrom

Großer Dynamikbereich

Fotodioden, OSI Optoelectronics


Verwandte Links