Vishay VEMT3705X02 Oberfläche 60 ° Fototransistor Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung 14000 ns / 600 μA
- RS Best.-Nr.:
- 637-779
- Herst. Teile-Nr.:
- VEMT3705X02-GS08
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF 0.41
Auf Lager
- Zusätzlich 7'495 Einheit(en) mit Versand ab 26. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 24 | CHF 0.41 |
| 25 - 99 | CHF 0.36 |
| 100 - 499 | CHF 0.32 |
| 500 - 999 | CHF 0.28 |
| 1000 + | CHF 0.26 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 637-779
- Herst. Teile-Nr.:
- VEMT3705X02-GS08
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Erkannte Spektren | Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung | |
| Fallzeit typ. | 21000ns | |
| Regelanstiegszeit | 14000ns | |
| Wellenlänge Spitze | 950nm | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Lichtstrom max. | 600μA | |
| Dunkelstrom max. | 200nA | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 60 ° | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | PLCC 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Breite | 2.8mm | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020 | |
| Kollektorstrom | 50mA | |
| Länge | 3.5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q102 | |
| Serie | VEMT3705X02 | |
| Emitter-Kollektor-Spannung | 7.8V | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 20V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Erkannte Spektren Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung | ||
Fallzeit typ. 21000ns | ||
Regelanstiegszeit 14000ns | ||
Wellenlänge Spitze 950nm | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Lichtstrom max. 600μA | ||
Dunkelstrom max. 200nA | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 60 ° | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße PLCC 2 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Breite 2.8mm | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020 | ||
Kollektorstrom 50mA | ||
Länge 3.5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Automobilstandard AEC-Q102 | ||
Serie VEMT3705X02 | ||
Emitter-Kollektor-Spannung 7.8V | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 20V | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der epitaxial planare Hochgeschwindigkeits-Fototransistor aus Silizium NPN von Vishay ist in einem kompakten PLCC-2-Gehäuse untergebracht und wurde entwickelt, um sowohl sichtbare als auch nahe Infrarotstrahlung zu erkennen, was ihn ideal für präzise Lichtmessanwendungen macht.
Verpackungstyp: Oberflächenmontage
Verpackungsform ist PLCC-2
AEC-Q102 qualifiziert
Schnelle Reaktionszeiten
Verwandte Links
- Vishay VEMT3705X02 Oberfläche 60 ° Fototransistor Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung 14000 ns / 0.6 mA
- Vishay VEMT3705 Oberfläche 60 ° Fototransistor Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung 14000 ns / 0.6 mA PLCC
- Vishay VEMT Oberfläche 60 ° Fototransistor Sichtbare Infrarotstrahlung, Nahinfrarotstrahlung 6 μs / 50 mA, 2-Pin SMD
- Vishay BPV11 Durchsteckmontage 15 ° Fototransistor Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung 6 μs / 10 mA
- Vishay VEMT Oberfläche 15 ° Fototransistor Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung / 9 mA, 2-Pin GW
- Vishay VEMT3705FX02 Oberfläche 60 ° Fototransistor Tageslicht 14000 ns / 0.6 mA PLCC 2
- Vishay Silizium-PIN-Fotodiode Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung 60 ° 940 nm, Oberfläche SMD-Gehäuse
- Vishay BPV10 Fotodiode Sichtbare Infrarotstrahlung, Nahinfrarotstrahlung 20 ° 920 nm, Durchsteckmontage T-1 3/4-Gehäuse