Vishay BPV11 Durchsteckmontage 15 ° Fototransistor Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung 6 μs / 10 mA
- RS Best.-Nr.:
- 257-6814
- Herst. Teile-Nr.:
- BPV11
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Erkannte Spektren | Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung | |
| Fallzeit typ. | 5μs | |
| Wellenlänge Spitze | 850nm | |
| Regelanstiegszeit | 6μs | |
| Verpackungsart | Wolle | |
| Lichtstrom max. | 10mA | |
| Dunkelstrom max. | 50nA | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 15 ° | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | Drahtanschluss | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Kollektorstrom | 50mA | |
| Durchmesser | 5mm | |
| Breite | 5.75mm | |
| Länge | 5.75mm | |
| Höhe | 8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | BPV11 | |
| Emitter-Kollektor-Spannung | 70V | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 70V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Erkannte Spektren Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung | ||
Fallzeit typ. 5μs | ||
Wellenlänge Spitze 850nm | ||
Regelanstiegszeit 6μs | ||
Verpackungsart Wolle | ||
Lichtstrom max. 10mA | ||
Dunkelstrom max. 50nA | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 15 ° | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße Drahtanschluss | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Kollektorstrom 50mA | ||
Durchmesser 5mm | ||
Breite 5.75mm | ||
Länge 5.75mm | ||
Höhe 8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie BPV11 | ||
Emitter-Kollektor-Spannung 70V | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 70V | ||
Der Silizium-NPN-Fototransistor von Vishay hat eine hohe Strahlungsempfindlichkeit in einem transparenten T-13⁄4-Kunststoffgehäuse mit Sockelklemme. Es ist empfindlich gegenüber sichtbarer und naher Infrarotstrahlung. Es handelt sich um einen mit einer Basisklemme verbundenen Fototransistor mit schnellen Ansprechzeiten.
Hohe Lichtempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Geeignet für sichtbare und nahezu Infrarotstrahlung
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