onsemi Oberfläche 12 ° Fototransistor Infrarot 15 μs, 2-Pin Subminiatur
- RS Best.-Nr.:
- 146-2107
- Herst. Teile-Nr.:
- QSB363
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 146-2107
- Herst. Teile-Nr.:
- QSB363
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Fallzeit typ. | 15μs | |
| Wellenlänge Spitze | 940nm | |
| Regelanstiegszeit | 15μs | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Dunkelstrom max. | 100nA | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 12 ° | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | Subminiatur | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.7mm | |
| Höhe | 3mm | |
| Kollektorstrom | 1.5mA | |
| Breite | 2.2mm | |
| Emitter-Kollektor-Spannung | 5V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 30V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Fallzeit typ. 15μs | ||
Wellenlänge Spitze 940nm | ||
Regelanstiegszeit 15μs | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Dunkelstrom max. 100nA | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 12 ° | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße Subminiatur | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.7mm | ||
Höhe 3mm | ||
Kollektorstrom 1.5mA | ||
Breite 2.2mm | ||
Emitter-Kollektor-Spannung 5V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 30V | ||
IR-Fototransistor Serie QSB363
Die Semiconductor-Serie QSB363 von Fairchild ist eine Produktfamilie von Silizium-IR-Fototransistoren. Es handelt sich um Subminiatur Gehäuse zur Oberflächenmontage (SMD) mit einer T-3/4- (2 mm) gewölbten Linse. Die IR-Fototransistoren QSB363 haben eine Reihe von verschiedenen Kabeltypen einschließlich Gull-Wing, Gabel und Z-Biegung.
QSB363 / QSB363GR / QSB363YR / QSB363ZR
NPN-Silizium-Fototransistor
SMD-Gehäuse T-3/4 (2 mm)
Mittlere Strahlbreite: 24°
Schwarzes Kunststoffgehäuse
Tageslichtfilter
Kabelformen: SMD-Anschlusspins, Gabel, Z-Biegung
Betriebstemperatur: –40 bis +85 °C
IR-Fototransistoren, Fairchild Semiconductor
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