onsemi Durchsteckmontage 25 ° Fototransistor Infrarot 8 μs, 2-Pin Side-View

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802-3317
Herst. Teile-Nr.:
QSE113
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Fototransistor

Erkannte Spektren

Infrarot

Fallzeit typ.

8μs

Regelanstiegszeit

8μs

Wellenlänge Spitze

880nm

Anzahl der Kanäle

1

Dunkelstrom max.

100nA

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

25 °

Anzahl der Pins

2

Montageart

Durchsteckmontage

Gehäusegröße

Side-View

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Durchmesser

2.41mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.22mm

Höhe

5.08mm

Kollektorstrom

1.5mA

Länge

4.44mm

Automobilstandard

Nein

Emitter-Kollektor-Spannung

5V

Kollektor-Emitter-Spannung

30V

IR-Fototransistor Serie QSE113/QSE114


Die Serie QSE-113/QSE114 von Fairchild Semiconductor ist eine Reihe von Silizium-IR-Fototransistoren. Sie befinden sich in einer SL-Packung mit seitlicher Optik (SL) und durchgehender Bohrung. Die schwarzen Kunststoffgehäuse haben einen breiten Winkel und sind IR-transparent.

Merkmale der QSE113/QSE114 IR-Fototransistoren:

Infrarot-Fototransistor, NPN-Silizium

Gehäusetyp: seitliche Optik

Mittelbreiter Empfangswinkel, 50°

Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz

Tageslichtfilter

Hohe Empfindlichkeit

Betriebstemperatur: -40 bis +100 °C

IR-Fototransistoren, Fairchild Semiconductor


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