onsemi Durchsteckmontage 25 ° Fototransistor Infrarot 8 μs, 2-Pin Side-View
- RS Best.-Nr.:
- 802-3317
- Herst. Teile-Nr.:
- QSE113
- Marke:
- onsemi
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- 802-3317
- Herst. Teile-Nr.:
- QSE113
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Fallzeit typ. | 8μs | |
| Wellenlänge Spitze | 880nm | |
| Regelanstiegszeit | 8μs | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Dunkelstrom max. | 100nA | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 25 ° | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | Side-View | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Länge | 4.44mm | |
| Durchmesser | 2.41mm | |
| Höhe | 5.08mm | |
| Kollektorstrom | 1.5mA | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Emitter-Kollektor-Spannung | 5V | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 30V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Fallzeit typ. 8μs | ||
Wellenlänge Spitze 880nm | ||
Regelanstiegszeit 8μs | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Dunkelstrom max. 100nA | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 25 ° | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße Side-View | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Länge 4.44mm | ||
Durchmesser 2.41mm | ||
Höhe 5.08mm | ||
Kollektorstrom 1.5mA | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Emitter-Kollektor-Spannung 5V | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 30V | ||
IR-Fototransistor Serie QSE113/QSE114
Die Serie QSE-113/QSE114 von Fairchild Semiconductor ist eine Reihe von Silizium-IR-Fototransistoren. Sie befinden sich in einer SL-Packung mit seitlicher Optik (SL) und durchgehender Bohrung. Die schwarzen Kunststoffgehäuse haben einen breiten Winkel und sind IR-transparent.
Merkmale der QSE113/QSE114 IR-Fototransistoren:
Infrarot-Fototransistor, NPN-Silizium
Gehäusetyp: seitliche Optik
Mittelbreiter Empfangswinkel, 50°
Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz
Tageslichtfilter
Hohe Empfindlichkeit
Betriebstemperatur: -40 bis +100 °C
IR-Fototransistoren, Fairchild Semiconductor
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