Infineon FRAM 1 MB, 128K x 8 bit 18 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin

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124-2991
Herst. Teile-Nr.:
FM25VN10-G
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

FRAM

Speicher Größe

1MB

Schnittstellentyp

SPI

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

18ns

Taktfrequenz max.

40MHz

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Länge

4.97mm

Höhe

1.47mm

Normen/Zulassungen

No

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Automobilstandard

AEC-Q100

Betriebstemperatur min.

-40°C

Anzahl der Bits pro Wort

8

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Anzahl der Wörter

128k

Minimale Versorgungsspannung

2V

FRAM, Cypress-Halbleiter


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher

Hohe Schreibgeschwindigkeit

Lange Lebensdauer

Geringer Stromverbrauch

FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

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