Infineon FRAM-Speicher 1MBit, 128K x 8 bit 18ns SPI SMD SOIC 8-Pin 2 V bis 3,6 V

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RS Best.-Nr.:
124-2991
Herst. Teile-Nr.:
FM25VN10-G
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

1MBit

Organisation

128K x 8 bit

Interface-Typ

SPI

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

18ns

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Abmessungen

4.97 x 3.98 x 1.47mm

Länge

4.97mm

Breite

3.98mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Höhe

1.47mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Automobilstandard

AEC-Q100

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Anzahl der Wörter

128K

Arbeitsspannnung min.

2 V

Betriebstemperatur min.

–40 °C

FRAM, Cypress-Halbleiter


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch

1 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 128K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 40 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID und Seriennummer
Hersteller-ID und Produkt-ID
Eindeutige Seriennummer (FM25VN10)
Geringer Stromverbrauch
300 μA Wirkstrom bei 1 MHz
90 μA (typ.) Standby-Strom
5 μA Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges zweifaches DFN-Gehäuse (Flat No-Lead)


FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

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