Infineon FRAM 16 kB, 2K x 8 bit 20 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 125-4226P
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25L16B-G
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 15 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.14.85
Auf Lager
- Zusätzlich 565 Einheit(en) mit Versand ab 16. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 15 - 25 | CHF.0.99 |
| 30 - 95 | CHF.0.96 |
| 100 - 495 | CHF.0.939 |
| 500 + | CHF.0.919 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 125-4226P
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25L16B-G
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 16kB | |
| Organisation | 2K x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 20ns | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Taktfrequenz max. | 20MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Höhe | 1.48mm | |
| Breite | 3.98 mm | |
| Länge | 4.97mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Anzahl der Wörter | 2k | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 16kB | ||
Organisation 2K x 8 bit | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 20ns | ||
Montageart Oberfläche | ||
Taktfrequenz max. 20MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Höhe 1.48mm | ||
Breite 3.98 mm | ||
Länge 4.97mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Anzahl der Wörter 2k | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
FRAM, Cypress-Halbleiter
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.
Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.