Infineon FRAM 4 kB, 512M x 8 Bit 20 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 181-8248
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25L04B-GTR
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 181-8248
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25L04B-GTR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4kB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 512M x 8 Bit | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 20ns | |
| Taktfrequenz max. | 20MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Breite | 3.98 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.38mm | |
| Länge | 4.97mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Anzahl der Wörter | 512M | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4kB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 512M x 8 Bit | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 20ns | ||
Taktfrequenz max. 20MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Breite 3.98 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.38mm | ||
Länge 4.97mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Anzahl der Wörter 512M | ||
4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 20 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
200° A Wirkstrom bei 1 MHz
Standby-Strom von 3° A (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)
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