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Infineon FRAM-Speicher 4kbit, 512 M x 8 Bit 20ns Seriell-SPI SMD SOIC 8-Pin 2,7 V bis 3,6 V

RS Best.-Nr.:: 181-8325P
Herst. Teile-Nr.:: FM25L04B-GTR
Marke:: Infineon

Infineon FRAM-Speicher 4kbit, 512 M x 8 Bit 20ns Seriell-SPI SMD SOIC 8-Pin 2,7 V bis 3,6 V

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Herst. Teile-Nr.:: FM25L04B-GTR
Marke:: Infineon

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Datasheet FM25L04B-GTR

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 ´ 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 20 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
200° A Wirkstrom bei 1 MHz
Standby-Strom von 3° A (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Speicher Größe	4kbit
Organisation	512 M x 8 Bit
Interface-Typ	Seriell-SPI
Datenbus-Breite	8bit
Zugriffszeit max.	20ns
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	SOIC
Pinanzahl	8
Abmessungen	4.97 x 3.98 x 1.47mm
Länge	4.97mm
Arbeitsspannnung max.	3,6 V
Breite	3.98mm
Höhe	1.47mm
Betriebstemperatur max.	+85 °C
Anzahl der Wörter	512M
Anzahl der Bits pro Wort	8bit
Automobilstandard	AEC-Q100
Betriebstemperatur min.	–40 °C
Arbeitsspannnung min.	2,7 V