Infineon FRAM-Speicher 16kbit, 2K x 8 Bit 5ns Seriell-SPI SMD SOIC 8-Pin 4,5 V bis 5,5 V
- RS Best.-Nr.:
- 215-5780
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25C160B-GTR
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 215-5780
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25C160B-GTR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 16kbit | |
| Organisation | 2K x 8 Bit | |
| Interface-Typ | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 5ns | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Länge | 4.97mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 5,5 V | |
| Breite | 3.98mm | |
| Höhe | 1.48mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Wörter | 2 K | |
| Arbeitsspannnung min. | 4,5 V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 16kbit | ||
Organisation 2K x 8 Bit | ||
Interface-Typ Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 5ns | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Länge 4.97mm | ||
Arbeitsspannnung max. 5,5 V | ||
Breite 3.98mm | ||
Höhe 1.48mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Wörter 2 K | ||
Arbeitsspannnung min. 4,5 V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der Cypress Semiconductor FM25C160B ist ein nichtflüchtiger 16-Kbit-Speicher mit einem Advanced ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Random Access Memory oder F-RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM aus. Sie bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, den Overhead und die Probleme mit der Zuverlässigkeit auf Systemebene, die durch serielles Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
Ferroelektrischer 16-Kbit-Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 2K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
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