Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 266-8508P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B104QN-50SXI
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 10 - 99 | CHF.14.27 |
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- RS Best.-Nr.:
- 266-8508P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B104QN-50SXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Organisation | 512k x 8 | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Taktfrequenz max. | 50MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | Restriction of hazardous substances (RoHS) | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.8V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Organisation 512k x 8 | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Montageart Oberfläche | ||
Taktfrequenz max. 50MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen Restriction of hazardous substances (RoHS) | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Automobilstandard Nein | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.8V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
- Ursprungsland:
- US
Infineons Ferroelectric RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-F-RAM
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Schnelle serielle Peripherieschnittstelle
Geringer Stromverbrauch
Niederspannungsbetrieb