Infineon FRAM 512 kB, 64k x 8 Seriell-I2C SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-5312
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24V05-GTR
- Marke:
- Infineon
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- 273-5312
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24V05-GTR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 512kB | |
| Organisation | 64k x 8 | |
| Schnittstellentyp | Seriell-I2C | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Betriebstemperatur min. | 80°C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 512kB | ||
Organisation 64k x 8 | ||
Schnittstellentyp Seriell-I2C | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Betriebstemperatur min. 80°C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Der FRAM-Speicher von Infineon ist ein nicht flüchtiger 512-Kbit-Speicher mit einem fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Zufallszugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und liest und schreibt ähnlich wie ein RAM. Es bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, Überlastung und Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
RoHS-konform
Niederspannungsbetrieb
Geringer Stromverbrauch
Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle
Unterstützt alte Zeitvorgänge für 100 kHz und 400 kHz
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