Infineon Serielle (SPI) Automobil-FRAM 16 kB, 2k x 8 bit Seriell-SPI SOIC-8 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7384
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25C160B-G
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-7384
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25C160B-G
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Serielle (SPI) Automobil-FRAM | |
| Speicher Größe | 16kB | |
| Organisation | 2k x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 15MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Anzahl der Wörter | 2k | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 Klasse 1 | |
| Betriebstemperatur min. | 40°C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Serielle (SPI) Automobil-FRAM | ||
Speicher Größe 16kB | ||
Organisation 2k x 8 bit | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 15MHz | ||
Gehäusegröße SOIC-8 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Anzahl der Wörter 2k | ||
Automobilstandard AEC-Q100 Klasse 1 | ||
Betriebstemperatur min. 40°C | ||
- Ursprungsland:
- TH
Infineons FRAM ist ein nichtflüchtiger 16-Kbit-Speicher, der in einem fortschrittlichen ferroelektrischen Verfahren hergestellt wird. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenaufbewahrung für 121 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden. Im Gegensatz zu EEPROM führt es Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus. Es entstehen keine Schreibverzögerungen. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Der nächste Buszyklus kann beginnen, ohne dass eine Datenabfrage erforderlich ist. Darüber hinaus bietet das Produkt im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern eine hohe Schreibbeständigkeit.
RoHS-konform
Geringer Stromverbrauch
AEC Q100 Grade 1 konform
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle
Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren
Hohe Ausdauer 10 Billionen Lese- und Schreibvorgänge
Fortschrittlicher, hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
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