onsemi MOSFET MOSFET 9 A 1 8-Pin SOIC-8 NB 20V 8.3 ns
- RS Best.-Nr.:
- 220-559P
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV51752CDDR2G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 198 | CHF 3.404 |
| 200 - 998 | CHF 3.141 |
| 1000 - 1998 | CHF 2.909 |
| 2000 + | CHF 2.606 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-559P
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV51752CDDR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 9A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 NB | |
| Abfallzeit | 8.3ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 1 | |
| Anstiegszeit | 22ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.2mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q100, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned), UL1577 (Planned), CQC GB4943.1-2011 (Planned) | |
| Serie | NCV51752 | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 9A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC-8 NB | ||
Abfallzeit 8.3ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 1 | ||
Anstiegszeit 22ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.2mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q100, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned), UL1577 (Planned), CQC GB4943.1-2011 (Planned) | ||
Serie NCV51752 | ||
Höhe 1.75mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der isolierte Einkanal-Gate-Treiber von ON Semiconductor mit 4,5 A/9 A Spitzenstrom in Quelle und Senke. Sie sind für schnelles Schalten zur Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFET-Leistungsschaltern ausgelegt.
CMTI von mindestens 200 V/ns dV/dt
Negative 5-V-Behandlungsfähigkeit an den Eingangspins