onsemi Gate-Treiber-Modul Isolierter Gattertreiber 9 A 1 8-Pin SOIC-8 NB 30 V 8.3 ns
- RS Best.-Nr.:
- 277-031P
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV51752CBDR2G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | CHF.3.232 |
| 100 - 495 | CHF.3.00 |
| 500 - 995 | CHF.2.757 |
| 1000 + | CHF.2.656 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 277-031P
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV51752CBDR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 9A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 NB | |
| Abfallzeit | 8.3ns | |
| Treiber-Typ | Isolierter Gattertreiber | |
| Anstiegszeit | 22ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 6.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 30V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | NCV51752 | |
| Normen/Zulassungen | UL1577, SGS FIMO IEC 62386-1, CQC GB4943.1-2011 | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 9A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC-8 NB | ||
Abfallzeit 8.3ns | ||
Treiber-Typ Isolierter Gattertreiber | ||
Anstiegszeit 22ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 6.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 30V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie NCV51752 | ||
Normen/Zulassungen UL1577, SGS FIMO IEC 62386-1, CQC GB4943.1-2011 | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der isolierte Einkanal-Gate-Treiber von ON Semiconductor ist für das schnelle Schalten von Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFET-Leistungsschaltern ausgelegt. Er bietet kurze und angepasste Ausbreitungsverzögerungen, hohe dV/dt-Immunität und die Möglichkeit, eine negative Vorspannungsschiene für ein schnelleres Abschalten zu erzeugen. Er ist in einem kompakten 4 mm SOIC-8-Gehäuse erhältlich und unterstützt eine Isolationsspannung von bis zu 3,75 kVRMS, was eine verbesserte Zuverlässigkeit gewährleistet.
CMTI von mindestens 200 V/ns dV/dt
Negative 5-V-Fähigkeit an den Eingangsstiften
Ausbreitungsverzögerung typisch 36 ns mit 5 ns maximaler Verzögerungsanpassung
AEC Q100-qualifiziert für die Anforderungen von Automobilanwendungen