Infineon Gate-Treiber-IC Isolierter Gattertreiber 1 A 1 8-Pin DSO-8 20 V 70 ns

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.9.87

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2’500 Einheit(en) mit Versand ab 16. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90CHF.0.987CHF.9.84
100 - 240CHF.0.935CHF.9.35
250 - 490CHF.0.861CHF.8.65
500 - 990CHF.0.798CHF.7.97
1000 +CHF.0.767CHF.7.67

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
349-170
Herst. Teile-Nr.:
2ED2388S06FXUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

Gate-Treiber-IC

Ausgangsstrom

1A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

DSO-8

Abfallzeit

70ns

Treiber-Typ

Isolierter Gattertreiber

Anzahl der Ausgänge

2

Anstiegszeit

70ns

Minimale Versorgungsspannung

10V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Anzahl der Treiber

1

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

4.9mm

Höhe

1.75mm

Serie

2ED2388S06F

Breite

3.9 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Der 650-V-Halbbrücken-Gate-Treiber von Infineon mit typischen 0,29-A-Source- und 0,7-A-Sink-Strömen im DSO-8-Gehäuse zur Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs und IGBTs. Basierend auf unserer SOI-Technologie bietet er eine ausgezeichnete Robustheit und Störfestigkeit gegen negative transiente Spannungen am VS-Pin. Da der Baustein keine parasitären Thyristorstrukturen aufweist, kann es unter allen Temperatur- und Spannungsbedingungen zu keinem parasitären Latch-up kommen.

Negative VS-Transienten-Immunität von 100 V

Integrierte ultraschnelle und niederohmige Bootstrap-Diode

90 ns Ausbreitungsverzögerung

Schwimmend gelagerter Kanal für den Bootstrap-Betrieb

Unabhängige Kontermutter für beide Kanäle bei Unterspannung

Verwandte Links