Microchip Gate-Treiber Low-Side 1 A 1 8-Pin 8LD MSOP 16 V 25 ns
- RS Best.-Nr.:
- 598-321
- Herst. Teile-Nr.:
- TC1411NEUA713
- Marke:
- Microchip
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.1.029 | CHF.2’575.13 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 598-321
- Herst. Teile-Nr.:
- TC1411NEUA713
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 1A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 25ns | |
| Gehäusegröße | 8LD MSOP | |
| Treiber-Typ | Low-Side | |
| Anstiegszeit | 25ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 16V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 2.8 mm | |
| Höhe | 1.45mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | TC1411 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 1A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 25ns | ||
Gehäusegröße 8LD MSOP | ||
Treiber-Typ Low-Side | ||
Anstiegszeit 25ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 16V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 2.8 mm | ||
Höhe 1.45mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie TC1411 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber von Microchip kann leicht eine Gate-Kapazität von 1000 pF in 25 ns mit passenden Aufwärts- und Abwärtszeiten aufladen. Es bietet eine ausreichend niedrige Impedanz sowohl im "EIN"- als auch im "AUS"-Zustand, um sicherzustellen, dass der beabsichtigte Zustand des MOSFETs selbst durch große Übergangssignale unberührt bleibt. Die Ausbreitungsverzögerungszeiten an der vorderen und hinteren Kante sind ebenfalls abgestimmt, was einen genaueren Antrieb von kurzlebigen Eingängen ermöglicht.
Angepasste Anstiegs- und Abfallzeiten
Niedrige Impedanz in den Zuständen \"EIN\" und \"AUS\" zur Aufrechterhaltung des MOSFET-Zustands
Passende Ausbreitungsverzögerungszeiten für präzises Ansteuern von kurzlebigen Eingängen
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