Microchip MCP14A0455T-E/MNYVAO Gate-Treiber Doppelt 4.5 A 2 8-Pin MSOP 18 V 14 ns
- RS Best.-Nr.:
- 644-281
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP14A0455T-E/MNYVAO
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*
CHF.10.605
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.121 | CHF.10.63 |
| 50 - 245 | CHF.1.869 | CHF.9.35 |
| 250 - 495 | CHF.1.68 | CHF.8.40 |
| 500 + | CHF.1.449 | CHF.7.22 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 644-281
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP14A0455T-E/MNYVAO
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 4.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | MSOP | |
| Abfallzeit | 14ns | |
| Treiber-Typ | Doppelt | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 17ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 18V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | MCP14A045 | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q100 | |
| Breite | 3 mm | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 4.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße MSOP | ||
Abfallzeit 14ns | ||
Treiber-Typ Doppelt | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 17ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 18V | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie MCP14A045 | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q100 | ||
Breite 3 mm | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
- Ursprungsland:
- TH
Die Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Gate-Treiber von Microchip mit zwei Ausgängen können einen Spitzenstrom von bis zu 4,5 A liefern und werden mit einer einzigen Versorgungsspannung von 4,5 V bis 18 V betrieben. Diese Bauelemente zeichnen sich durch einen niedrigen Durchschussstrom, schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten und kurze Ausbreitungsverzögerungen aus, was sie ideal für Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen macht. Diese MOSFET-Gate-Treiberbausteine bieten eine verbesserte Steuerung mit Freigabefunktion.
Niedriger Durchschuss-/Kreuzleitungsstrom in der Endstufe
Niedriger Versorgungsstrom von 620 μA
Eingang mit Niederspannungsschwelle und Freigabe mit Hysterese
Latch-up-geschützt und widersteht 0,5 A Rückstrom
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