STMicroelectronics Gate-Treiber 1250 μA 2 18-Pin QFN-18L 6.6 V 11 ns
- RS Best.-Nr.:
- 648-110
- Herst. Teile-Nr.:
- STDRIVEG210Q
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.2.01
Auf Lager
- 300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.2.01 |
| 10 - 24 | CHF.1.78 |
| 25 - 99 | CHF.1.59 |
| 100 - 499 | CHF.1.20 |
| 500 + | CHF.1.17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 648-110
- Herst. Teile-Nr.:
- STDRIVEG210Q
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 1250μA | |
| Pinanzahl | 18 | |
| Abfallzeit | 11ns | |
| Gehäusegröße | QFN-18L | |
| Anstiegszeit | 22ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 6.6V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 6.6V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017: 2kV, ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018: 1kV | |
| Länge | 5mm | |
| Serie | STDRIVEG210 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 1250μA | ||
Pinanzahl 18 | ||
Abfallzeit 11ns | ||
Gehäusegröße QFN-18L | ||
Anstiegszeit 22ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 6.6V | ||
Maximale Versorgungsspannung 6.6V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017: 2kV, ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018: 1kV | ||
Länge 5mm | ||
Serie STDRIVEG210 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der Half-Bridge-Gate-Treiber von STMicroelectronics ist für N-Kanal-GaN-Transistoren im Verstärkungsmodus optimiert und unterstützt den Betrieb bis zu 220 V über eine integrierte Bootstrap-Diode. Es bietet ein Hochgeschwindigkeitsschalten mit minimaler Ausbreitungsverzögerung, passendem Timing und einem robusten Stromantrieb dank integrierter LDOs. Er wurde sowohl für sanfte als auch harte Schaltmodi entwickelt und verfügt über schnelles Aufwachen, Verriegelungsschutz und maßgeschneiderte UVLOs, um die Effizienz bei Ausbrüchen zu erhöhen.
Getrennte Logikeingänge und Shutdown-Pin
Fault-Pin für Übertemperatur- und UVLO-Meldung
Stand-by-Funktion für niedrigen Verbrauch
RoHS-Konformität
Verwandte Links
- STMicroelectronics Gate-Treiber 1350 μA 2 18-Pin QFN-18L 6.6 V 0.75 ns
- STMicroelectronics Gate-Treiber Gate-Treiber 1.8 A 2 18-Pin QFN 20V 13 ns
- STMicroelectronics Gate-Treiber Gate-Treiber 31-Pin QFN 15 V
- STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul Gate-Treiber 1 A 72-Pin QFN (10 x 10 mm) 72L 20 V 17 ns
- STMicroelectronics Gate-Treiber Hochspannung 16 A 2 35-Pin QFN 21V 4 ns
- STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul Gate-Treiber 350 mA 3 72-Pin QFN (10 x 10 mm) 72L 20 V 50 ns
- onsemi Gate-Treiber-Modul Gate-Treiber 250 mA 6 22-Pin QFN 60 V
- Renesas Electronics Gate-Treiber-Modul MOSFET 185 μA 24-Pin SOIC 15 V 10 ns
