ROHM Gate-Treiber Gate-Treiber 31.5 A 8-Pin TOLL-8N 650V 14.5 ns
- RS Best.-Nr.:
- 792-195
- Herst. Teile-Nr.:
- GNP2050TD-ZTR
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.15.11
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 23. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.15.11 |
| 5 + | CHF.14.67 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-195
- Herst. Teile-Nr.:
- GNP2050TD-ZTR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 31.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | TOLL-8N | |
| Abfallzeit | 14.5ns | |
| Treiber-Typ | Gate-Treiber | |
| Anstiegszeit | 5.9ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | -10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 650V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 9.9mm | |
| Breite | 11.68mm | |
| Serie | GNP | |
| Montageart | SMD | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 31.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße TOLL-8N | ||
Abfallzeit 14.5ns | ||
Treiber-Typ Gate-Treiber | ||
Anstiegszeit 5.9ns | ||
Minimale Versorgungsspannung -10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 650V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 9.9mm | ||
Breite 11.68mm | ||
Serie GNP | ||
Montageart SMD | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der ROHM 650 V Enhancement Mode Gan HEMT bietet effizientes Hochleistungs-Schalten für Anwendungen in der erweiterten Leistungselektronik. Sein niedriger Widerstand und seine optimierte Gate-Ladung unterstützen verbesserte Effizienz und reduzierten Energieverlust in kompakten Hochfrequenzdesigns.
50 mΩ-Widerstand reduziert Leitungsverluste
6,4 nC Gate-Ladung ermöglicht schnelles Umschalten
Geeignet für Hochfrequenz-Schaltwandler
Geeignet für Konverter mit hoher Dichte