Microchip Gate-Treiber Halbbrücke 2.3 A 2 8-Pin SOIC 20V 35 ns
- RS Best.-Nr.:
- 813-760
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP14LH21814-E/SL
- Marke:
- Microchip
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.1.535
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 14. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.1.54 |
| 10 - 24 | CHF.1.35 |
| 25 - 99 | CHF.1.21 |
| 100 - 499 | CHF.1.04 |
| 500 + | CHF.0.86 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 813-760
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP14LH21814-E/SL
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 2.3A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 35ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | Halbbrücke | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | MCP14H | |
| Breite | 6.00mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 4.90mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 2.3A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 35ns | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ Halbbrücke | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie MCP14H | ||
Breite 6.00mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 4.90mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Gate-Treiber von Microchip ist eine Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeitslösung, die für Halbbrückenkonfigurationen entwickelt wurde. Er wurde für die Ansteuerung von N-Kanal-MOSFETs und IGBTs entwickelt und verfügt über einen schwimmenden High-Side-Kanal, der bis zu 600 V über Bootstrap-Betrieb betrieben werden kann.
Spitzenleistung von 1,9 A Quelle und 2,3 A Senke
Typische Anstiegszeit von 40 ns und Fallzeit von 20 ns
Versorgungsspannungsbereich von 10 V bis 20 V
