STMicroelectronics VNB14NV04TR-E Universaltreiber MOSFET 20 A 1 2-Pin TO-263 40 V 30 μs
- RS Best.-Nr.:
- 190-6854
- Herst. Teile-Nr.:
- VNB14NV04TR-E
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.825 | CHF.14.11 |
| 25 - 45 | CHF.2.657 | CHF.13.28 |
| 50 - 120 | CHF.2.52 | CHF.12.58 |
| 125 - 245 | CHF.2.373 | CHF.11.84 |
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- RS Best.-Nr.:
- 190-6854
- Herst. Teile-Nr.:
- VNB14NV04TR-E
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Universaltreiber | |
| Ausgangsstrom | 20A | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Abfallzeit | 30μs | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Anstiegszeit | 30μs | |
| Minimale Versorgungsspannung | 40V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 40V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 9.35 mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Universaltreiber | ||
Ausgangsstrom 20A | ||
Pinanzahl 2 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Abfallzeit 30μs | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Anstiegszeit 30μs | ||
Minimale Versorgungsspannung 40V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 40V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 9.35 mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.6mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die STMicroelectronics VNB10N07 sind monolithische Geräte, die mit VI Power M0-Technologie hergestellt wurden und als Ersatz für Standard-MOSFETs in DC- bis 50-KHz-Anwendungen dienen. Er verfügt über eine integrierte thermische Abschaltung, lineare Strombegrenzung und Überspannungsklemme zum Schutz des Chips in rauen Umgebungen. Fehlerrückmeldung kann durch Überwachung der Spannung am Eingangsstift erkannt werden.
ESD-Schutz
Direkter Zugriff auf das Gate des Leistungs-MOSFET
Lineare Strombegrenzung
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