STMicroelectronics MOSFET MOSFET 18.5 A 3-Pin TO-220 30 V 40 ns
- RS Best.-Nr.:
- 193-5399P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP21N90K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.54.18
Auf Lager
- 900 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 18 | CHF.5.418 |
| 20 - 48 | CHF.5.124 |
| 50 - 98 | CHF.4.841 |
| 100 + | CHF.4.599 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 193-5399P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP21N90K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 18.5A | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Abfallzeit | 40ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 27ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 34.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 18.5A | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Abfallzeit 40ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 27ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 34.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.15 mm | ||
Länge 15.75mm | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Automobilstandard Nein | ||
Bei diesen Geräten handelt es sich um N-Kanal-Leistungs-MOSFETs die mit der MDmesh™-M2-Technologie entwickelt wurden. Diese revolutionäre, lawinenrobuste Hochspannungs-MOSFET-Technologie basiert auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des Betriebswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
To-220 RDS(on)
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Zenerdioden-geschützt
