Renesas Electronics MOSFET MOSFET 2.5 A 4 20-Pin PDIP 15 V 10 ns
- RS Best.-Nr.:
- 196-8881
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP4081AIPZ
- Marke:
- Renesas Electronics
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|---|---|---|
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| 4 - 8 | CHF.9.009 | CHF.18.02 |
| 10 - 98 | CHF.7.797 | CHF.15.59 |
| 100 - 248 | CHF.6.787 | CHF.13.56 |
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- RS Best.-Nr.:
- 196-8881
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP4081AIPZ
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 2.5A | |
| Pinanzahl | 20 | |
| Gehäusegröße | PDIP | |
| Abfallzeit | 10ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 10ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 15V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 15V | |
| Anzahl der Treiber | 4 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Serie | HIP4081A | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Länge | 26.9mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 2.5A | ||
Pinanzahl 20 | ||
Gehäusegröße PDIP | ||
Abfallzeit 10ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 10ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 15V | ||
Maximale Versorgungsspannung 15V | ||
Anzahl der Treiber 4 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Serie HIP4081A | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.33mm | ||
Länge 26.9mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Serie HIP4081A von Renesas Electronics ist ein Hochfrequenz-, Mittelspannungs-N-Kanal-FET-Treiber-IC mit Vollbrücke, erhältlich in 20-adrigem Kunststoff
SOIC- und DIP-Gehäuse. Die HIP4081A kann jede mögliche Schalterkombination mit Ausnahme derjenigen betreiben, die einen Durchschusszustand verursachen würden. Der HIP4081A kann bei Frequenzen bis zu 1 MHz schalten und ist gut geeignet für die Ansteuerung von Coil Motoren, Hochfrequenz-Schaltleistungsverstärkern und Netzteilen.
Unabhängig steuert 4 N-Kanal-FET in Halbbrücken- oder Vollbrückenkonfigurationen
Bootstrap-Versorgungsspannung: Max. Spannung bis 95 V dc
Vom Benutzer programmierbare Totzeit
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