onsemi NCV57200DR2G Universaltreiber Universal 1.9 A 2 8-Pin SOIC 20 V 8 ns

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RS Best.-Nr.:
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Herst. Teile-Nr.:
NCV57200DR2G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Universaltreiber

Ausgangsstrom

1.9A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

8ns

Treiber-Typ

Universal

Anzahl der Ausgänge

2

Anstiegszeit

13ns

Minimale Versorgungsspannung

20V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Anzahl der Treiber

2

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.75mm

Länge

5mm

Breite

4 mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

AEC-Q100

Der on Semiconductor Hochspannungs-Gate-Treiber mit einem nicht isolierten Low-Side-Gate-Treiber und einem galvanisch getrennten Hoch- oder Niederspannungsseiten-Gate-Treiber. Er kann zwei IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration direkt ansteuern. Ein isolierter Hochspannungstreiber kann mit einem isolierten Netzteil oder mit Bootstrap-Technik vom Niederspannungsseiten-Netzteil versorgt werden. Diese galvanische Trennung für den High-Side-Gate-Treiber garantiert zuverlässiges Schalten in Hochleistungsanwendungen für IGBTs, die bis zu 800 V bei hohen dv/dt betreiben.

Gehäuse ist SOIC-8 (bleifrei)

Hoher Peak Current Output (+1,9 A/-2,3 A)

Niedriger Ausgangsspannungsabfall für verbesserte IGBT-Leitung

Gesicherter Ausgangs-Low-State ohne VDD/VB

Potenzialfreier Kanal für Bootstrap-Betrieb bis +800 V

CMTI bis zu 50 kV/s.

Zuverlässiger Betrieb für VS-negatives Schwingen bis -800 V.

VDD- und VBS-Versorgungsspannungsbereich bis zu 20 V.

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