Infineon Halbbrückentor-Treiber MOSFET 1 8-Pin DSO 20 V 25 ns
- RS Best.-Nr.:
- 217-7145
- Herst. Teile-Nr.:
- 1ED44176N01FXUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-7145
- Herst. Teile-Nr.:
- 1ED44176N01FXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Halbbrückentor-Treiber | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Abfallzeit | 25ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Anstiegszeit | 50ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 12.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | 1ED44176N01F | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Halbbrückentor-Treiber | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Abfallzeit 25ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Anstiegszeit 50ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 12.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie 1ED44176N01F | ||
Höhe 1.75mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon EiceDRIVERTM 25-V-Einkanal-Niederspannungsseite-nicht-invertierende Gate-Treiber für MOSFET und IGBT mit typischer 0,8-A-Quelle und 1,75-A-Senkenströmung in einem kleinen 8-adrigen PG-DSO8-Gehäuse. Überstromschutz wird typischerweise durch eine Strommessung mit einem Komparator und mehreren Widerständen und Kondensatoren realisiert. 1ED44176N01F bietet Kosten- und Platzersparnis durch die Integration des Komparators. Der neue Low-Side-Gate-Treiber nutzt die proprietären latch-immun-CMOS-Technologien von Infineon, um eine robuste monolithische Konstruktion zu ermöglichen und gleichzeitig eine klassenbeste Fehlerberichtgenauigkeit mit OCP-Schwellentoleranz von +/-5 % zu erreichen. Darüber hinaus ermöglicht die IC-Technologie von Infineon ein kleines PG-DSO8-Gehäuse durch die Kombination des Fehlerausgangs und der Aktivierungsfunktionen in einem einzigen Stift.
Überstromerkennung mit positivem Spannungseingang
Ein Stift für Fehlerausgang und -freigabe
Programmierbare Fehler-Löschzeit
Unterspannungsverriegelung
CMOS mit von Schmitt ausgelösten Eingängen
