Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber Gate-Treiber 130 mA 1 8-Pin SOIC 600 V 90 ns

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RS Best.-Nr.:
217-7192
Herst. Teile-Nr.:
IR25602STRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber

Ausgangsstrom

130mA

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

90ns

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

Gate-Treiber

Anstiegszeit

170ns

Minimale Versorgungsspannung

10V

Maximale Versorgungsspannung

600V

Anzahl der Treiber

1

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC JESD 47

Höhe

1.75mm

Länge

5mm

Breite

4 mm

Serie

IR25602

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600-V-Halbbrückentreiber-IC mit typischer 0,21-A-Quelle und 0,36-A-Senkenströmen in 8-adristiger SOIC-Gehäuse für IGBTs und MOSFETs.

Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb

Voll betriebsfähig bis +600 V

Tolerant gegenüber negativer Überspannung

dV/dt immun

Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannung von 10 V bis 20 V

Unterspannungsverriegelung

Kompatibel mit 3,3-V-, 5-V- und 15-V-Eingangslogik

Stromkreuzung-Verhütungslogik

Intern eingestellte Totzeit

High-Side-Ausgang in Phase mit Eingang

Abschalteingang schaltet beide Kanäle aus

Angepasste Laufzeit für beide Kanäle

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