Infineon Halbbrückentor-Treiber Low-Side 3.3 A 1 8-Pin SOIC 25V 55 ns

RS Best.-Nr.:: 217-7197
Herst. Teile-Nr.:: IRS4427STRPBF
Marke:: Infineon

Infineon Halbbrückentor-Treiber Low-Side 3.3 A 1 8-Pin SOIC 25V 55 ns

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	Halbbrückentor-Treiber
	Ausgangsstrom	3.3A
	Pinanzahl	8
	Abfallzeit	55ns
	Gehäusegröße	SOIC
	Treiber-Typ	Low-Side
	Anzahl der Ausgänge	2
	Anstiegszeit	55ns
	Minimale Versorgungsspannung	6V
	Anzahl der Treiber	1
	Maximale Versorgungsspannung	25V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.75mm
	Länge	4.98mm
	Serie	IRS4426/IRS4427/IRS4428
	Breite	3.99mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Montageart	Oberfläche
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ Halbbrückentor-Treiber
	Ausgangsstrom 3.3A
	Pinanzahl 8
	Abfallzeit 55ns
	Gehäusegröße SOIC
	Treiber-Typ Low-Side
	Anzahl der Ausgänge 2
	Anstiegszeit 55ns
	Minimale Versorgungsspannung 6V
	Anzahl der Treiber 1
	Maximale Versorgungsspannung 25V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.75mm
	Länge 4.98mm
	Serie IRS4426/IRS4427/IRS4428
	Breite 3.99mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Montageart Oberfläche
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRS4427STRPBF

Halbbrücken-Gate-Treiber der Serien IRS4426/IRS4427/IRS4428 von Infineon, 6 V Mindestversorgungsspannung, 25 V maximale Versorgungsspannung - IRS4427STRPBF

Dieser Halbbrücken-Gate-Treiber ist ein oberflächenmontierter Low-Side-Treiber zur Steuerung komplementärer Leistungsschalter in kompakten elektronischen Anwendungen. Er verfügt über einen Versorgungsbereich, der für viele Gate-Antriebsaufgaben geeignet ist, und bietet die nötige Antriebsfähigkeit für schnelle Schaltvorgänge, während er über einen breiten Temperaturbereich arbeitet.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ausgangsstrom von 3,3 A sorgt für eine starke Gate-Ladefähigkeit
• Der Versorgungsbereich von 6 V bis 25 V unterstützt unterschiedliche Gate-Spannungsanforderungen
• 55 ns Anstiegszeit ermöglicht schnelle Einschaltumschaltungen
• 55 ns Fallzeit gewährleistet schnelles Abschalten
• RoHS-konforme Konstruktion erfüllt Materialbeschränkungen
• Funktioniert bis zu 150 °C für den Einsatz bei hohen Temperaturen

Anwendungsbereich

• Geeignet für die Ansteuerung von MOSFETs in Motorsteuerungsstufen
• Wird mit DC/DC-Wandlern verwendet, die ein schnelles Schalten erfordern
• Ideal für Wechselrichter in kompakten Baugruppen
• Kann für Synchrongleichrichter-Gate-Steuerung verwendet werden
• Wird für die Gate-Ansteuerung in der angrenzenden Kfz-Elektronik verwendet

Welches Gehäuseformat wird für die Leiterplattenmontage verwendet?

Er wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Welche thermischen Grenzwerte sollten bei der Konstruktion berücksichtigt werden?

Die Komponente ist für eine maximale Betriebstemperatur von 150 °C und eine minimale Temperatur von -40 °C ausgelegt.

Wie viele Ausgänge sind für die Schaltsteuerung verfügbar?

Er bietet zwei Ausgänge, die für die Ansteuerung einer Halbbrückenanordnung geeignet sind.

Ist sie für Multi-Treiber-Konfigurationen auf einer einzigen Platine geeignet?

Das Gerät enthält einen Treiberkanal und einen Treiber pro Gehäuse für die individuelle Platzierung.

Welche physischen Grundflächenaspekte gelten für das Layout?

Die Gehäuseabmessungen umfassen eine Breite von 3,99 mm, eine Länge von 4,98 mm und eine Höhe von 1,75 mm.