Infineon 1EDN8550BXTSA1 MOSFET MOSFET 8 A 1 23-Pin SOT-23 20 V 4.5 ns
- RS Best.-Nr.:
- 222-4769
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDN8550BXTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 15 - 60 | CHF.0.452 | CHF.6.76 |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4769
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDN8550BXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 8A | |
| Pinanzahl | 23 | |
| Abfallzeit | 4.5ns | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 6.5ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.6 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1.25mm | |
| Serie | 1EDN8550B | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 8A | ||
Pinanzahl 23 | ||
Abfallzeit 4.5ns | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 6.5ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.6 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1.25mm | ||
Serie 1EDN8550B | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 1EDN8550B ist ein nicht isolierter Gate-Treiber-IC und in einem kleinen SOT-23-Gehäuse erhältlich. Er verfügt über wirklich differenzielle Eingänge, die kostengünstige Lösungen mit außergewöhnlicher Leistungsdichte ermöglichen.
Wirklich differenzielle Eingänge
4 A Quellstrom
8 A Senkstrom
Separate Quellen-/Senken-Ausgänge
Niederohmige Ausgangsstufe
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