Infineon 2ED2109S06FXUMA1 Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 290 mA 2 8-Pin DSO 25 V 80 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6023
- Herst. Teile-Nr.:
- 2ED2109S06FXUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.9.14
Auf Lager
- Zusätzlich 2’410 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.914 | CHF.9.13 |
| 50 - 90 | CHF.0.872 | CHF.8.67 |
| 100 - 240 | CHF.0.83 | CHF.8.31 |
| 250 - 490 | CHF.0.798 | CHF.7.93 |
| 500 + | CHF.0.735 | CHF.7.38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6023
- Herst. Teile-Nr.:
- 2ED2109S06FXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 290mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Abfallzeit | 80ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 150ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 25V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 3.9 mm | |
| Höhe | 1.72mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Länge | 4.9mm | |
| Serie | 2ED2109 (4) S06F (J) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber | ||
Ausgangsstrom 290mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Abfallzeit 80ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 150ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 25V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 3.9 mm | ||
Höhe 1.72mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Länge 4.9mm | ||
Serie 2ED2109 (4) S06F (J) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 2ED2109S06F ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanälen. Es basiert auf SOI-Technologie und bietet eine ausgezeichnete Robustheit und Störfestigkeit mit der Fähigkeit, die Betriebslogik bei negativen Spannungen von bis zu - 11 Von VS-Pin bei transienter Spannung aufrechtzuerhalten. Die Ausgangstreiber verfügen über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist.
Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb
Betriebsspannungen (VS-Knoten) bis zu +650 V
Maximale Bootstrap-Spannung (VB-Knoten) von + 675 V.
Integrierte, ultraschnelle Bootstrap-Diode mit niedrigem Widerstand
Verwandte Links
- Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 290 mA 2 8-Pin DSO 25 V 80 ns
- Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 2 A 16-Pin SOIC 1225 V 17 ns
- Infineon IR2213STRPBF Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 2 A 16-Pin SOIC 1225 V 17 ns
- Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber Gate-Treiber 130 mA 1 8-Pin SOIC 600 V 90 ns
- Infineon IR25602STRPBF Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber Gate-Treiber 130 mA 1 8-Pin SOIC 600 V 90 ns
- Infineon Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber MOSFET 290 mA 1 8-Pin SOIC 600 V 65 ns
- Infineon AUIRS21271STR Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber MOSFET 290 mA 1 8-Pin SOIC 600 V 65 ns
- Infineon Gate-Treiber-Modul Gate-Treiber 290 mA 14-Pin DSO 20 V 100 ns